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参数资料
| 型号： | M68Z128 |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 5V, 1Mbit(128Kbx8) Low Power SRAM with Output Enable(1Mb低功耗SRAM) |
| 中文描述： | 5V的，一个容量为1Mbit（128Kbx8）低功率SRAM的输出使能（1兆低功耗的SRAM） |
| 文件页数： | 9/12页 |
| 文件大小： | 69K |
| 代理商： | M68Z128 |
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
I
CCDR
Supply Current (Data Retention)
V
CC
= 3V, E1
≥
V
CC
– 0.3V or
E2
≤
0.3V, f = 0
0.01
1
μ
A
V
DR
Supply Voltage (Data Retention)
E1
≥
V
CC
– 0.3V or E2
≤
0.3V,f = 0
2
V
t
CDR
Chip Disable to PowerDown
E1
≥
V
CC
– 0.3V or E2
≤
0.3V,f = 0
0
ns
t
ER
(1)
Operation Recovery Time
t
AVAV
ns
Note:
1. See Figure10 for measurement points. Guaranteed but not tested. t
AVAV
is Read cycle time.
Table9. Low V
CC
Data Retention Characteristics
(T
A
= 0 to 70
°
C)
AI00659
DATA RETENTION MODE
tER
5V
tCDR
VCC
3V
VDR> 2.0V
E1
2.2V
E1
≥
VDR– 0.3V
E2
≤
0.3V
E2
0.8V
Figure 10. LowV
CC
Data RetentionAC Waveforms
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M68Z128
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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