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参数资料
| 型号： | M69AW024BL60ZB8T |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 16 Mbit (1M x16) 3V Asynchronous PSRAM |
| 中文描述： | 16兆位（1米× 16）3V的异步移动存储芯片 |
| 文件页数： | 25/29页 |
| 文件大小： | 429K |
| 代理商： | M69AW024BL60ZB8T |
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M69AW024B
Figure 22. Power-up Mode AC Waveforms - 3
Note: Both E1 and E2 must go High as V
CC
reaches V
CC
(min). If not, the timings provided in Power-Up Mode AC Waveforms 1 (
Figure 20.
)
or Power-Up Mode AC Waveforms 2 (
Figure 21.
) should be used to ensure proper operation.
Table 10. Low V
CC
Data Retention Characteristics
Note: 1. T
A
= –30 to 85°C
2. All other Inputs at V
IH
≥
V
CC
–0.2V or V
IL
≤
0.2V.
3. See
Figure 23.
for measurement points.
Figure 23. Low V
CC
Data Retention AC Waveforms
Symbol
Parameter
Test Condition
1
Min
Max
Unit
V
DR (2)
Supply Voltage (Data Retention)
E1 = E2
≥
V
CC
–0.2V, or
E1
=
V
IH
and E2
=
V
IH
2.3
3.5
V
I
CCDR
Supply Current (Data Retention)
V
CC
= V
DR
, V
IN
≤
0.2V or
≥
V
CC
–0.2V,
E1
=
≥
V
CC
–0.2V and E2
≥
V
CC
–0.2V,
I
OUT
= 0mA
70
μA
t
CDR (2,3)
Chip deselected to Data Retention
Time
V
CC
=
2.7V
0
ns
t
R (3)
Operation Recovery Time
V
CC
=
2.7V
100
ns
V/
t
(3)
VCC Voltage Transition Time
0.2
V/μs
AI08054C
VCC
VCC min
E2
E1
0V
tEHEL
AI07408
DATA RETENTION MODE
V/
t
3.5V
tCDR
2.7V
2.3V
E1
E1 and E2
≥
VDD – 0.2V or VIH(min)
Data Bus must be Hi-Z
VCC
E2
0.4V
VSS
tR
V/
t
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M69AW024BL70ZB8T | 16 Mbit (1M x16) 3V Asynchronous PSRAM |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M69AW024BL70ZB8T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (1M x16) 3V Asynchronous PSRAM |
| M69AW048B | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit (2M x16) 3V Asynchronous PSRAM |
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| M69KB096AA | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit (4M x16) 1.8V Supply, 80MHz Clock Rate, Burst PSRAM |
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