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参数资料
| 型号： | M93C06-DS3TG |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 16 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| 封装： | 3 X 3 MM, LEAD FREE, TSSOP-8 |
| 文件页数： | 11/31页 |
| 文件大小： | 533K |
| 代理商： | M93C06-DS3TG |
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M93C86, M93C76, M93C66, M93C56, M93C46, M93C06
Table 21. AC Characteristics (M93Cx6-W, Device Grade 6)
Note: 1. tCHCL + tCLCH ≥ 1 / fC.
2. Chip Select Input (S) must be brought Low for a minimum of tSLSH between consecutive instruction cycles.
3. Current product: identified by Process Identification letter F or M.
4. New product: identified by Process Identification letter W or G.
Symbol
Alt.
Parameter
Min.3
Max.3
Min.4
Max.4
Unit
fC
fSK
Clock Frequency
D.C.
1
D.C.
2
MHz
tSLCH
Chip Select Low to Clock High
250
50
ns
tSHCH
tCSS
Chip Select Set-up Time
100
50
ns
tSLSH
2
tCS
Chip Select Low to Chip Select High
1000
200
ns
tCHCL
1
tSKH
Clock High Time
350
200
ns
tCLCH
1
tSKL
Clock Low Time
250
200
ns
tDVCH
tDIS
Data In Set-up Time
100
50
ns
tCHDX
tDIH
Data In Hold Time
100
50
ns
tCLSH
tSKS
Clock Set-up Time (relative to S)
100
50
ns
tCLSL
tCSH
Chip Select Hold Time
0
ns
tSHQV
tSV
Chip Select to Ready/Busy Status
400
200
ns
tSLQZ
tDF
Chip Select Low to Output Hi-Z
200
100
ns
tCHQL
tPD0
Delay to Output Low
400
200
ns
tCHQV
tPD1
Delay to Output Valid
400
200
ns
tW
tWP
Erase/Write Cycle time
10
5
ms
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M93C06-WDS7 | 16 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| MT2VDDT832UY-75XX | 8M X 32 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA100 |
| MB84VD22183EA-85PBS | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA71 |
| MB84VD22184EA-90PBS | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA71 |
| M93C66-WMB3TP | 256 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, DSO8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M93C06DW | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:16Kbit, 8Kbit, 4Kbit, 2Kbit, 1Kbit and 256bit 8-bit or 16-bit wide |
| M93C06MN | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:16Kbit, 8Kbit, 4Kbit, 2Kbit, 1Kbit and 256bit 8-bit or 16-bit wide |
| M93C06-MN6 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 256 (32x8 or 16x16) RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| M93C06-MN6T | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 256 (32x8 or 16x16) RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| M93C06-WBN6 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 256 (32x8 or 16x16) RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
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