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参数资料
| 型号： | M93C66-WMB3TP |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 256 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, DSO8 |
| 封装： | 2 X 3 MM, LEAD FREE, MLP-8 |
| 文件页数： | 13/31页 |
| 文件大小： | 611K |
| 代理商： | M93C66-WMB3TP |
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M93C86, M93C76, M93C66, M93C56, M93C46
20/31
Table 22. AC Characteristics (M93Cx6-W, Device Grade 7 or 3)
Note: 1. tCHCL + tCLCH ≥ 1 / fC.
2. Chip Select Input (S) must be brought Low for a minimum of tSLSH between consecutive instruction cycles.
3. New product: identified by Process Identification letter W or G or S.
Symbol
Alt.
Parameter
Min.3
Max.3
Unit
fC
fSK
Clock Frequency
D.C.
2
MHz
tSLCH
Chip Select Low to Clock High
50
ns
tSHCH
tCSS
Chip Select Set-up Time
50
ns
tSLSH
2
tCS
Chip Select Low to Chip Select High
200
ns
tCHCL
1
tSKH
Clock High Time
200
ns
tCLCH
1
tSKL
Clock Low Time
200
ns
tDVCH
tDIS
Data In Set-up Time
50
ns
tCHDX
tDIH
Data In Hold Time
50
ns
tCLSH
tSKS
Clock Set-up Time (relative to S)
50
ns
tCLSL
tCSH
Chip Select Hold Time
0
ns
tSHQV
tSV
Chip Select to Ready/Busy Status
200
ns
tSLQZ
tDF
Chip Select Low to Output Hi-Z
100
ns
tCHQL
tPD0
Delay to Output Low
200
ns
tCHQV
tPD1
Delay to Output Valid
200
ns
tW
tWP
Erase/Write Cycle time
5
ms
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| MT46V32M8FG-6TIT:G | 32M X 8 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA60 |
| MT46V32M8BG-6AT:G | 32M X 8 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA60 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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