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参数资料
| 型号： | M93S56-WBN3TG |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 4Kbit, 2Kbit and 1Kbit 16-bit wide MICROWIRE Serial Access EEPROM with Block Protection |
| 中文描述： | 4Kbit，2Kbit和1Kbit 16位宽MICROWIRE串行EEPROM的访问与街区保护 |
| 文件页数： | 23/34页 |
| 文件大小： | 525K |
| 代理商： | M93S56-WBN3TG |
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M93S66, M93S56, M93S46
Table 17. AC Characteristics (M93Sx6-W, Device Grade 6)
Note: 1. t
CHCL
+ t
CLCH
≥
1 / f
C
.
2. Chip Select Input (S) must be brought Low for a minimum of tSLSH between consecutive instruction cycles.
3. Current product: identified by Process Identification letter F or M.
4. New product: identified by Process Identification letter W or G.
Test conditions specified in
Table 9.
and
Table 6.
Symbol
Alt.
Parameter
Min.
3
Max.
3
Min.
4
Max.
4
Unit
f
C
f
SK
Clock Frequency
D.C.
1
D.C.
2
MHz
t
PRVCH
t
PRES
Protect Enable Valid to Clock High
50
50
ns
t
WVCH
t
PES
Write Enable Valid to Clock High
50
50
ns
t
CLPRX
t
PREH
Clock Low to Protect Enable Transition
0
0
ns
t
SLWX
t
PEH
Chip Select Low to Write Enable
Transition
250
250
ns
t
SLCH
Chip Select Low to Clock High
250
50
ns
t
SHCH
t
CSS
Chip Select Set-up Time
100
50
ns
t
SLSH2
t
CS
Chip Select Low to Chip Select High
1000
200
ns
t
CHCL1
t
SKH
Clock High Time
350
200
ns
t
CLCH1
t
SKL
Clock Low Time
250
200
ns
t
DVCH
t
DIS
Data In Set-up Time
100
50
ns
t
CHDX
t
DIH
Data In Hold Time
100
50
ns
t
CLSH
t
SKS
Clock Set-up Time (relative to S)
100
50
ns
t
CLSL
t
CSH
Chip Select Hold Time
0
0
ns
t
SHQV
t
SV
Chip Select to Ready/Busy Status
400
200
ns
t
SLQZ
t
DF
Chip Select Low to Output Hi-Z
200
100
ns
t
CHQL
t
PD0
Delay to Output Low
400
200
ns
t
CHQV
t
PD1
Delay to Output Valid
400
200
ns
t
W
t
WP
Erase/Write Cycle time
10
5
ms
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M93S56-WBN3T | 4Kbit, 2Kbit and 1Kbit 16-bit wide MICROWIRE Serial Access EEPROM with Block Protection |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| M93S56-WBN6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:4Kbit, 2Kbit and 1Kbit 16-bit wide MICROWIRE Serial Access EEPROM with Block Protection |
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