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参数资料
型号： MAPLST1920-090CF
元件分类： 功率晶体管
英文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
文件页数： 3/4页
文件大小： 207K
代理商： MAPLST1920-090CF
RF Power LDMOS Transistor, 1930 — 1990 MHz, 90W, 26V
MAPLST1920-090CF
10/31/03
Preliminary
3
Graph 1. EDGE: Gain and Error Vector Magnitude vs. Output Power
Graph 2. EDGE: Efficiency and Adjacent Channel Power Ratio vs. Output Power
1990MHz, 26VDC, IDQ=900mA
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
35
37
39
41
43
45
47
49
Pout (dBm)
EVM
&
Gain
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
Eff
(%)
Gain (dB)
EVM (%)
Eff (%)
1990MHz, 26VDC, IDQ=900mA
-80
-75
-70
-65
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
35
37
39
41
43
45
47
49
Pout (dBm)
ACPR
(dBc)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
Eff
(%)
ACPR (400KHz)
ACPR (600kHz)
Eff (%)
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PDF描述
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