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参数资料
| 型号： | MAX8810AETM+ |
| 厂商： | Maxim Integrated Products |
| 文件页数： | 5/50页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CNTRLR PWM W/MOSFET 48TQFN |
| 产品培训模块： | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
| 标准包装： | 50 |
| 应用： | 控制器，Intel VR10、VR11 |
| 输入电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 输出数： | 1 |
| 输出电压： | 0.5 V ~ 1.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 48-WFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 48-TQFN-EP（6x6） |
| 包装： | 管件 |
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VRD11/VRD10, K8 Rev F 2/3/4-Phase PWM
Controllers with Integrated Dual MOSFET Drivers
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)
(V VL_ = V BST_ = 6.5V, V CC = V EN = 5V, V ILIM = 1.5V, VID_ = SEL = REF = BUF = unconnected, V COMP = V RS+ = 1.0V, R VRREADY =
5k Ω pullup to 5V, R SS/OVP = 12k Ω to GND, R NTC = 10k Ω to GND, f SW = 300kHz, R VRTSET = 118k Ω to GND, V CS_+ = V CS_- = 1V,
PWM_ = unconnected, R VRHOT = 249 Ω pullup to 1.05V, V GND = V PGND_ = V LX_ = V RS- = 0V, DL_ = DH_ = unconnected, T A = 0 ° C
to +85 ° C . Typical values are at T A = +25 ° C, unless otherwise noted.)
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
PWM DRIVER
Output Low Level
I PWM_ = +5mA
0.1
0.4
V
Output High Level
Source Current
Sink Current
Rise/Fall Times
PWM Disable Program Threshold
I PWM_ = -5mA
V PWM_ = V CC - 2V
V PWM_ = 2V
4V < V CC < 5.5V
4.5
3.0
4.9
52
65
10
V CC -
0.7
V
mA
mA
ns
V
GATE-DRIVER SPECIFICATIONS
VL_, BST_ to LX_ Input Voltage Range
LX Operating Range
4.5
6.5
26
V
V
VL_ UVLO Threshold (VL12,
MAX8809A; VL1, MAX8810A)
Driver Static Supply Current, I VL_
(per Channel)
Boost Static Supply Current, I BST_
(per Channel)
DH Driver Resistance
DL Driver Resistance
DH_ Rise Time (t rDH )
DH_ Fall Time (t fDH )
DL_ Rise Time (t rDL )
DL_ Fall Time (t fDL )
DH_ Propagation Delay (t pDHf )
Dead Time (t pDLr )
Dead Time (t DEAD )
V VL_ rising, 250mV hysteresis (typ)
DH_ = BST_
DH_ = LX_
DH_ = BST_
Sourcing current, V VL _ = 6.5V
Sinking current, V VL _ = 6.5V
Sourcing current, V VL _ = 6.5V
Sinking current, V VL _ = 6.5V
C DH_ = 3000pF
C DH_ = 3000pF
C DL_ = 3000pF
C DL_ = 3000pF
CS+ rising to DH falling
LX_ falling to DL_ rising
DL_ falling to DH_ rising
3.25
3.55
1
1.1
0.6
1.1
0.8
0.85
0.3
14
9
10
7
32
18
35
3.80
1.6
1.8
1
2.0
1.2
1.7
0.6
V
mA
mA
Ω
Ω
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
INTERNAL BOOST-DIODE SPECIFICATIONS
On-Resistance
I BST_ = 2mA
6
Ω
_______________________________________________________________________________________
5
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PDF描述 |
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