参数资料
型号: MAX9982ETP+
厂商: Maxim Integrated
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描述: IC MIXER HI LINEAR SIGE 20-TQFN
产品培训模块: Lead (SnPb) Finish for COTS
Obsolescence Mitigation Program
标准包装: 60
系列: MAX9982
RF 型: 手机,EDGE,GSM
频率: 825MHz ~ 915MHz
混频器数目: 1
增益: 2.6dB
噪音数据: 11.3dB
电流 - 电源: 193mA
电源电压: 4.75 V ~ 5.25 V
包装: 管件
封装/外壳: 20-WQFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 20-TQFN-EP(5x5)
825MHz to 915MHz, SiGe High-Linearity
Active Mixer
Typical Application Circuit
L1
R3
C9
3
T1
6
IF OUT
5V
2
4:1 (200:50)
C8
L2
C11
R4
1
TRANSFORMER
4
C10
RFIN
C1
RF
1
MAX9982
15
LO2
LO2
TAP
2
14
GND
C7
C3
C2
GND
RFBIAS
3
4
13
12
GND
GND
R1
GND
5
11
LO1
LO1
C6
LO SELECT
C4
5V
C5
5V
10
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PDF描述
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参数描述
MAX9982ETP+ 功能描述:射频混合器 825-915MHz Dual SiGe Active Mixer RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 频率范围: 转换损失——最大: 工作电源电压:6 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube
MAX9982ETP+D 功能描述:射频混合器 825-915MHz Dual SiGe Active Mixer RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 频率范围: 转换损失——最大: 工作电源电压:6 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube
MAX9982ETP+T 功能描述:射频混合器 825-915MHz Dual SiGe Active Mixer RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 频率范围: 转换损失——最大: 工作电源电压:6 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube
MAX9982ETP+TD 功能描述:射频混合器 825-915MHz Dual SiGe Active Mixer RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 频率范围: 转换损失——最大: 工作电源电压:6 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube
MAX9982ETP-T 功能描述:射频混合器 825-915MHz Dual SiGe Active Mixer RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 频率范围: 转换损失——最大: 工作电源电压:6 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube