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参数资料
| 型号： | MAX9982ETP+ |
| 厂商： | Maxim Integrated |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MIXER HI LINEAR SIGE 20-TQFN |
| 产品培训模块： | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
| 标准包装： | 60 |
| 系列： | MAX9982 |
| RF 型： | 手机，EDGE，GSM |
| 频率： | 825MHz ~ 915MHz |
| 混频器数目： | 1 |
| 增益： | 2.6dB |
| 噪音数据： | 11.3dB |
| 电流 - 电源： | 193mA |
| 电源电压： | 4.75 V ~ 5.25 V |
| 包装： | 管件 |
| 封装/外壳： | 20-WQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 20-TQFN-EP（5x5） |
825MHz to 915MHz, SiGe High-Linearity
Active Mixer
Typical Operating Characteristics
( Typical Application Circuit , V CC = 5V, f IF = 100MHz, P RF = -5dBm, P LO = 0dBm, T A = +25 ° C, unless otherwise noted.)
CONVERSION GAIN vs. RF FREQUENCY
CONVERSION GAIN vs. RF FREQUENCY
180
BIAS CURRENT vs. TEMPERATURE
4.0
LOW-SIDE INJECTION
f IF = 100MHz
3.5
HIGH-SIDE INJECTION
f IF = 120MHz
175
3.5
3.0
T A = -40 ° C
170
V CC = 5.25V
3.0
T A = -40 ° C
2.5
165
160
155
V CC = 5V
V CC = 4.75V
2.5
2.0
1.5
T A = +25 ° C
T A = +85 ° C
2.0
1.5
1.0
T A = +25 ° C
T A = +85 ° C
150
1.0
0.5
-40
-15
10
35
60
85
820
840
860
880
900
920
820
840
860
880
900
920
3.0
TEMPERATURE ( ° C)
CONVERSION GAIN vs. RF FREQUENCY
LOW-SIDE INJECTION
2.6
RF FREQUENCY (MHz)
CONVERSION GAIN vs. RF FREQUENCY
HIGH-SIDE INJECTION
3.0
RF FREQUENCY (MHz)
CONVERSION GAIN vs. RF FREQUENCY
LOW-SIDE INJECTION
2.8
f IF = 100MHz
2.4
f IF = 120MHz
2.8
V CC = 4.75V
f IF = 100MHz
2.6
2.6
2.4
2.2
2.4
V CC = 5.25V
2.2
P LO = -5dBm, 0dBm, +5dBm
2.0
P LO = -5dBm, 0dBm, +5dBm
2.2
V CC = 5V
2.0
1.8
1.8
1.6
2.0
1.8
820
840
860
880
900
920
820
840
860
880
900
920
820
840
860
880
900
920
RF FREQUENCY (MHz)
2 RF - 2 LO vs. RF FREQUENCY
LOW-SIDE INJECTION
RF FREQUENCY (MHz)
2 LO - 2 RF RESPONSE vs. RF FREQUENCY
HIGH-SIDE INJECTION
RF FREQUENCY (MHz)
2 RF - 2 LO RESPONSE vs. RF FREQUENCY
LOW-SIDE INJECTION
80
75
P RF = -5dBm
P LO = +5dBm
f IF = 100MHz
58
56
P RF = -5dBm
P LO = +5dBm
f IF = 120MHz
75
70
P RF = -5dBm
f IF = 100MHz
P LO = +5dBm
70
T A = -40 ° C
54
T A = +85 ° C
65
60
65
60
T A = +25 ° C
T A = +85 ° C
52
T A = -40 ° C
T A = +25 ° C
55
50
P LO = 0dBm
P LO = -5dBm
55
50
45
820
840
860
880
900
920
820
840
860
880
900
920
820
840
860
880
900
920
RF FREQUENCY (MHz)
RF FREQUENCY (MHz)
RF FREQUENCY (MHz)
4
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参数描述 |
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| MAX9982ETP+ | 功能描述:射频混合器 825-915MHz Dual SiGe Active Mixer RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 频率范围: 转换损失——最大: 工作电源电压:6 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube |
| MAX9982ETP+D | 功能描述:射频混合器 825-915MHz Dual SiGe Active Mixer RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 频率范围: 转换损失——最大: 工作电源电压:6 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube |
| MAX9982ETP+T | 功能描述:射频混合器 825-915MHz Dual SiGe Active Mixer RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 频率范围: 转换损失——最大: 工作电源电压:6 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube |
| MAX9982ETP+TD | 功能描述:射频混合器 825-915MHz Dual SiGe Active Mixer RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 频率范围: 转换损失——最大: 工作电源电压:6 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube |
| MAX9982ETP-T | 功能描述:射频混合器 825-915MHz Dual SiGe Active Mixer RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 频率范围: 转换损失——最大: 工作电源电压:6 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube |
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