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参数资料
| 型号： | MAX9982ETP+ |
| 厂商： | Maxim Integrated |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MIXER HI LINEAR SIGE 20-TQFN |
| 产品培训模块： | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
| 标准包装： | 60 |
| 系列： | MAX9982 |
| RF 型： | 手机，EDGE，GSM |
| 频率： | 825MHz ~ 915MHz |
| 混频器数目： | 1 |
| 增益： | 2.6dB |
| 噪音数据： | 11.3dB |
| 电流 - 电源： | 193mA |
| 电源电压： | 4.75 V ~ 5.25 V |
| 包装： | 管件 |
| 封装/外壳： | 20-WQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 20-TQFN-EP（5x5） |
825MHz to 915MHz, SiGe High-Linearity
Active Mixer
Typical Operating Characteristics (continued)
( Typical Application Circuit , V CC = 5V, f IF = 100MHz, P RF = -5dBm, P LO = 0dBm, T A = +25 ° C, unless otherwise noted.)
14.0
INPUT P1dB vs. RF FREQUENCY
LOW-SIDE INJECTION
54
LO SWITCH ISOLATION vs. RF FREQUENCY
LOW-SIDE INJECTION
55
LO SWITCH ISOLATION vs. RF FREQUENCY
HIGH-SIDE INJECTION
13.5
f IF = 100MHz
V CC = 5.25V
53
LO OFFSET 1MHz
f IF = 100MHz
T A = +85 ° C
54
LO OFFSET 1MHz
f IF = 120MHz
13.0
52
53
T A = +85 ° C
12.5
V CC = 5V
51
50
T A = -40 ° C
T A = +25 ° C
52
51
T A = -40 ° C
T A = +25 ° C
V CC = 4.75V
12.0
49
50
820
840
860
880
900
920
820
840
860
880
900
920
820
840
860
880
900
920
54
RF FREQUENCY (MHz)
LO SWITCH ISOLATION vs. RF FREQUENCY
LOW-SIDE INJECTION
LO OFFSET 1MHz
-30.0
RF FREQUENCY (MHz)
LO LEAKAGE AT IF PORT
vs. LO FREQUENCY
-20
RF FREQUENCY (MHz)
LO LEAKAGE AT IF PORT
vs. LO FREQUENCY
53
f IF = 100MHz
P LO = -5dBm
-32.5
T A = -40 ° C
-30
P LO = +5dBm
-35.0
52
-37.5
-40
51
50
P LO = +5dBm
P LO = 0dBm
-40.0
-42.5
T A = +25 ° C
T A = +85 ° C
-50
P LO = -5dBm
P LO = 0dBm
49
-45.0
-60
820
840
860
880
900
920
725
825
925
1025
1125
725
825
925
1025
1125
-38
RF FREQUENCY (MHz)
LO LEAKAGE AT RF PORT
vs. LO FREQUENCY
-10
LO FREQUENCY (MHz)
RF LEAKAGE AT IF PORT
vs. RF FREQUENCY
-10
LO FREQUENCY (MHz)
RF LEAKAGE AT IF PORT
vs. RF FREQUENCY
-40
P LO = +5dBm
-12
T A = -40 ° C
-12
-42
P LO = 0dBm
-14
-14
P LO = -5dBm, 0dBm, +5dBm
-16
-44
P LO = -5dBm
T A = +25 ° C
-16
-18
-46
-48
-20
-22
T A = +85 ° C
-18
-20
700
800
900
1000
1100
820
840
860
880
900
920
820
840
860
880
900
920
LO FREQUENCY (MHz)
RF FREQUENCY (MHz)
RF FREQUENCY (MHz)
6
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| MAX9982ETP+ | 功能描述:射频混合器 825-915MHz Dual SiGe Active Mixer RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 频率范围: 转换损失——最大: 工作电源电压:6 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube |
| MAX9982ETP+D | 功能描述:射频混合器 825-915MHz Dual SiGe Active Mixer RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 频率范围: 转换损失——最大: 工作电源电压:6 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube |
| MAX9982ETP+T | 功能描述:射频混合器 825-915MHz Dual SiGe Active Mixer RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 频率范围: 转换损失——最大: 工作电源电压:6 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube |
| MAX9982ETP+TD | 功能描述:射频混合器 825-915MHz Dual SiGe Active Mixer RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 频率范围: 转换损失——最大: 工作电源电压:6 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube |
| MAX9982ETP-T | 功能描述:射频混合器 825-915MHz Dual SiGe Active Mixer RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 频率范围: 转换损失——最大: 工作电源电压:6 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube |
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