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参数资料
| 型号： | MAX9982ETP+ |
| 厂商： | Maxim Integrated |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MIXER HI LINEAR SIGE 20-TQFN |
| 产品培训模块： | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
| 标准包装： | 60 |
| 系列： | MAX9982 |
| RF 型： | 手机，EDGE，GSM |
| 频率： | 825MHz ~ 915MHz |
| 混频器数目： | 1 |
| 增益： | 2.6dB |
| 噪音数据： | 11.3dB |
| 电流 - 电源： | 193mA |
| 电源电压： | 4.75 V ~ 5.25 V |
| 包装： | 管件 |
| 封装/外壳： | 20-WQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 20-TQFN-EP（5x5） |
825MHz to 915MHz, SiGe High-Linearity
Active Mixer
Typical Operating Characteristics (continued)
( Typical Application Circuit , V CC = 5V, f IF = 100MHz, P RF = -5dBm, P LO = 0dBm, T A = +25 ° C, unless otherwise noted.)
2 LO - 2 RF RESPONSE vs. RF FREQUENCY
HIGH-SIDE INJECTION
INPUT IP3 vs. RF FREQUENCY
LOW-SIDE INJECTION
INPUT IP3 vs. RF FREQUENCY
HIGH-SIDE INJECTION
60.0
57.5
55.0
P RF = -5dBm
f IF = 120MHz
P LO = 0dBm
29
28
f IF = 100MHz
T A = +85 ° C
32
31
30
f IF = 120MHz
T A = -40 ° C
29
52.5
P LO = +5dBm
27
28
T A = +25 ° C
50.0
47.5
P LO = -5dBm
26
T A = -40 ° C
T A = +25 ° C
27
26
T A = +85 ° C
45.0
25
25
820
840
860
880
900
920
820
840
860
880
900
920
820
840
860
880
900
920
RF FREQUENCY (MHz)
INPUT IP3 vs. RF FREQUENCY
LOW-SIDE INJECTION
RF FREQUENCY (MHz)
INPUT IP3 vs. RF FREQUENCY
HIGH-SIDE INJECTION
RF FREQUENCY (MHz)
INPUT IP3 vs. RF FREQUENCY
LOW-SIDE INJECTION
28.0
f IF = 100MHz
P LO = 0dBm
30
29
P LO = -5dBm
P LO = 0dBm
f IF = 120MHz
28.0
27.5
V CC = 5.25V
f IF = 100MHz
27.5
P LO = -5dBm
28
27.0
27.0
P LO = +5dBm
27
P LO = +5dBm
26.5
26
25
26.5
26.0
V CC = 4.75V
V CC = 5.0V
820
840
860
880
900
920
820
840
860
880
900
920
820
840
860
880
900
920
14.0
RF FREQUENCY (MHz)
INPUT P1dB vs. RF FREQUENCY
LOW-SIDE INJECTION
16.0
RF FREQUENCY (MHz)
INPUT P1dB vs. RF FREQUENCY
HIGH-SIDE INJECTION
13.50
RF FREQUENCY (MHz)
INPUT P1dB vs. RF FREQUENCY
LOW-SIDE INJECTION
f IF = 100MHz
f IF = 120MHz
T A = +85 ° C
f IF = 100MHz
15.5
13.5
13.0
T A = +85 ° C
15.0
14.5
13.25
13.00
P LO = -5dBm
T A = +25 ° C
14.0
12.5
T A = -40 ° C
T A = +25 ° C
13.5
T A = -40 ° C
12.75
P LO = +5dBm
P LO = 0dBm
12.0
13.0
12.50
820
840
860
880
900
920
820
840
860
880
900
920
820
840
860
880
900
920
RF FREQUENCY (MHz)
RF FREQUENCY (MHz)
RF FREQUENCY (MHz)
_______________________________________________________________________________________
5
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| MAX9982ETP+ | 功能描述:射频混合器 825-915MHz Dual SiGe Active Mixer RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 频率范围: 转换损失——最大: 工作电源电压:6 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube |
| MAX9982ETP+D | 功能描述:射频混合器 825-915MHz Dual SiGe Active Mixer RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 频率范围: 转换损失——最大: 工作电源电压:6 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube |
| MAX9982ETP+T | 功能描述:射频混合器 825-915MHz Dual SiGe Active Mixer RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 频率范围: 转换损失——最大: 工作电源电压:6 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube |
| MAX9982ETP+TD | 功能描述:射频混合器 825-915MHz Dual SiGe Active Mixer RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 频率范围: 转换损失——最大: 工作电源电压:6 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube |
| MAX9982ETP-T | 功能描述:射频混合器 825-915MHz Dual SiGe Active Mixer RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 频率范围: 转换损失——最大: 工作电源电压:6 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube |
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