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参数资料
| 型号： | MB85343C-70 |
| 厂商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 1M×32 BIT Hyper Page Mode DRAM Module(CMOS 1M×32位超级页面存取模式动态RAM模块) |
| 中文描述： | 的CMOS 100万× 32位的超页模式内存的CMOS（100万× 32位超级页面存取模式动态内存模块） |
| 文件页数： | 7/11页 |
| 文件大小： | 353K |
| 代理商： | MB85343C-70 |
7
MB85343C-60/MB85343C-70
I
AC CHARACTERISTICS
(Continued)
(At recommended operating conditions unless otherwise noted.) Notes 1, 2, 3
No.
Parameter
Symbol
MB85343C-60
Min.
10
10
MB85343C-70
Min.
10
10
Unit
Notes
Max.
—
—
Max.
—
—
31
32
Write Command Hold Time
WE Pulse Width
Write Command to RAS Lead
Time
Write Command to CAS Lead
Time
DIN Setup Time
DIN Hold Time
Data Hold Time from RAS
RAS Precharge Time to CAS
Active Time (Refresh Cycles)
CAS Setup Time (C-B-R Refresh)
CAS Hold Time (C-B-R Refresh)
WE Setup Time from RAS
WE Hold Time from RAS
DIN to CAS Delay Time
WE to Data In Delay Time
RAS to Data In Delay Time
CAS to Data in Delay Time
RAS to Column Address Hold
Time
Write Command Hold time
Referenced to RAS
Data Input Hold Time
Referenced to RAS
Hyper Page Mode RAS Pulse
Width
Hyper Page Mode Read/Write
Cycle Time
Access Time from CAS
Precharge
Hyper Page Mode CAS
Precharge Time
Hyper Page Mode RAS Hold
Time from CAS Precharge
RAS Pulse Width for Self Refresh
RAS Precharge Time for Self
Refresh
CAS Hold time for Self refresh
t
WCH
t
WP
ns
ns
33
t
RWL
15
—
18
—
ns
34
t
CWL
10
—
10
—
ns
35
36
37
t
DS
t
DH
t
DHR
0
10
50
—
—
—
0
10
55
—
—
—
ns
ns
ns
38
t
RPC
5
—
5
—
ns
39
40
41
42
43
44
45
46
t
CSR
t
CHR
t
WSR
t
WHR
t
DZC
t
WED
t
RDD
t
CDD
0
10
0
10
0
15
15
15
—
—
—
—
—
—
—
—
0
10
0
10
0
15
15
15
—
—
—
—
—
—
—
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
17
17
47
t
AR
26
—
26
—
ns
48
t
WCR
24
—
24
—
ns
49
t
DHR
24
—
24
—
ns
50
t
RASP
—
200000
—
200000
ns
51
t
HPC
25
—
30
—
ns
52
t
CPA
—
35
—
40
ns
7, 14
53
t
CP
10
—
10
—
ns
54
t
RHCP
35
—
40
—
ns
55
t
RASS
100
—
100
—
μ
s
16
56
t
RPS
104
—
119
—
ns
16
57
t
CHS
–50
—
–50
—
ns
16
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PDF描述 |
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参数描述 |
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