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参数资料
| 型号： | MB85344C-70 |
| 厂商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 2M×32 BIT Hyper Page Mode DRAM Module(CMOS 2M×32超级页面存取模式动态RAM模块) |
| 中文描述： | 的CMOS 200万× 32位的超页模式内存的CMOS（200万× 32超级页面存取模式动态内存模块） |
| 文件页数： | 2/11页 |
| 文件大小： | 474K |
| 代理商： | MB85344C-70 |
2
MB85344C-60/MB85344C-70
I
PRODUCT LINE & FEATURES
Parameter
MB85344C-60
60 ns max.
104 ns min.
30 ns max.
15 ns max.
25 ns min.
2776 mW max.
2992 mW max.
176 mW max.
88 mW max.
MB85344C-70
70 ns max.
119 ns min.
35 ns max.
20 ns max.
30 ns min.
2464 mW max.
2512 mW max.
176 mW max.
88 mW max.
RAS Access Time
Random Cycle Time
Address Access Time
CAS Access Time
Hyper Page Mode Cycle Time
Power Dissipation
Operating Mode
Hyper Page Mode
Standby Mode
Self Refresh Mode
MSS-72P-P49
I
PIN ASSIGNMENT
67
68
69
70
Pin # Symbol
PD1
PD2
PD3
PD4
-60
NC
-70
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V
SS
Organization: 2,097,152 words
×
32 bits
Memory : MB814405C, 16 pcs
Decoupling Capacitor, 16 pcs
5.0 V
±
10% Supply Voltage
1,024 Refresh Cycles/16.4 ms
Hyper page mode operation (EDO)
MSS-72P-P39
I
PACKAGE
Package and Ordering Information:
72-pad SIMM, order as
MB85344C–xxPJPBK
(PJPBK = Gold Pad)
MB85344C–xxPJPB
(PJPB = Solder Pad)
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
27
29
31
33
35
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
57
59
61
63
65
67
69
71
2
4
6
8
10
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14
16
18
20
22
24
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28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
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54
56
58
60
62
64
66
68
70
72
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
A0
A2
A4
A6
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
A7
VCC
A9
RAS2
NC
NC
CAS0
CAS3
RAS0
NC
NC
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
NC
PD2
PD4
VSS
VSS
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
NC
A1
A3
A5
NC
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
NC
A8
RAS3
NC
NC
VSS
CAS2
CAS1
RAS1
WE
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
VCC
DQ13
DQ14
DQ15
PD1
PD3
NC
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PDF描述 |
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参数描述 |
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