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参数资料
| 型号： | MB85344C-70 |
| 厂商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 2M×32 BIT Hyper Page Mode DRAM Module(CMOS 2M×32超级页面存取模式动态RAM模块) |
| 中文描述： | 的CMOS 200万× 32位的超页模式内存的CMOS（200万× 32超级页面存取模式动态内存模块） |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 474K |
| 代理商： | MB85344C-70 |
6
MB85344C-60/MB85344C-70
I
AC CHARACTERISTICS
(At recommended operating conditions unless otherwise noted.) Notes 1, 2, 3
(Continued)
No.
Parameter
Symbol
MB85344C-60
Min.
—
104
—
—
—
5
5
MB85344C-70
Min.
—
119
—
—
—
5
5
Unit
Notes
Max.
16.4
—
60
15
30
—
—
Max.
16.4
—
70
20
35
—
—
1
2
3
4
5
6
7
Time Between Refresh
Random Read/Write Cycle Time
Access Time from RAS
Access Time from CAS
Column Address Access Time
Output Hold Time
Output Hold Time from CAS
Output Buffer Turn On Delay
Time
Output Buffer Turn Off Delay
Time
Output Buffer Turn Off Delay
Time
from RAS
Transition Time
RAS Precharge Time
RAS Pulse Width
RAS Hold Time
CAS to RAS Precharge Time
RAS to CAS Delay Time
CAS Pulse Width
CAS Hold Time
CAS Precharge Time (Normal)
Row Address Setup Time
Row Address Hold Time
Column Address Setup Time
Column Address Hold Time
RAS to Column Address Delay
Time
Column Address to RAS Lead
Time
Column Address to CAS Lead
Time
Read Command Setup Time
Read Command Hold Time
Referenced to RAS
Read Command Hold Time
Referenced to CAS
Write Command Setup Time
t
REF
t
RC
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
OH
t
OHC
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4, 7
5, 7
6, 7
8
t
ON
0
—
0
—
ns
9
t
OFF
—
15
—
15
ns
8
10
t
OFR
—
15
—
15
ns
8
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
t
T
t
RP
t
RAS
t
RSH
t
CRP
t
RCD
t
CAS
t
CSH
t
CPN
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
1
40
60
15
0
14
10
40
10
0
10
0
10
50
—
1
45
70
20
0
14
10
50
10
0
10
0
10
50
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
100000
—
—
45
10000
—
—
—
—
—
—
100000
—
—
50
10000
—
—
—
—
—
—
9, 10
15
24
t
RAD
12
30
12
35
ns
11
25
t
RAL
30
—
35
—
ns
26
t
CAL
23
—
28
—
ns
27
t
RCS
0
—
0
—
ns
28
t
RRH
0
—
0
—
ns
12
29
t
RCH
0
—
0
—
ns
12
30
t
WCS
0
—
0
—
ns
13
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