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参数资料
| 型号： | MB85R1002ANC-GE1 |
| 厂商： | Fujitsu Semiconductor America Inc |
| 文件页数： | 4/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FRAM 1MBIT 150NS 48TSOP |
| 特色产品： | Graphics Display Controllers (GDC) |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | FRAM（Ferroelectric RAM） |
| 存储容量： | 1M (64K x 16) |
| 速度： | 150ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 48-TFSOP（0.488"，12.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 48-TSOP |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 865-1169 |
MB85R1002A
■ FUNCTIONAL TRUTH TABLE
Mode
CE1
CE2
WE
OE
LB
UB
I/O1 to I/O8
I/O9 to I/O16
Supply
Current
H
X
X
X
X
X
Standby Precharge
X
X
L
X
X
H
X
H
X
X
X
X
Hi-Z
Hi-Z
Standby
(I SB )
X
X
X
X
H
L
H
L
Data Output
Data Output
Read
L
H
H
H
L
L
L
H
L
L
H
L
L
H
Data Output
Hi-Z
Data Output
Data Output
Hi-Z
Data Output
Data Output
Hi-Z
H
L
Hi-Z
Data Output
Read
L
L
Data Output
Data Output
(Pseudo-SRAM,
OE control* 1 )
L
H
H
L
H
H
L
Data Output
Hi-Z
Hi-Z
Data Output
Operation
L
L
Data Input
Data Input
(I CC )
Write
L
H
L
L
H
H
L
H
L
L
H
L
L
H
Data Input
Hi-Z
Data Input
Data Input
Hi-Z
Data Input
Data Input
Hi-Z
H
L
Hi-Z
Data Input
Write
L
L
Data Input
Data Input
(Pseudo-SRAM,
L
H
H
L
H
Data Input
Hi-Z
WE control* 2 )
H
L
Hi-Z
Data Input
Note: L = V IL , H = V IH , X can be either V IL or V IH , Hi-Z = High Impedance
: Latch address and latch data at falling edge,
: Latch address and latch data at rising edge
*1 : OE control of the Pseudo-SRAM means the valid address at the falling edge of OE to read.
*2 : WE control of the Pseudo-SRAM means the valid address and data at the falling edge of WE to write.
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DS501-00004-1v0-E
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PDF描述 |
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参数描述 |
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