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参数资料
| 型号： | MB85R256FPFCN-G-BNDE1 |
| 厂商： | Fujitsu Semiconductor America Inc |
| 文件页数： | 1/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FRAM 256KBIT 150NS 28TSOP |
| 特色产品： | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | FRAM（Ferroelectric RAM） |
| 存储容量： | 256K (32K x 8) |
| 速度： | 150ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 28-TSSOP（0.465"，11.8mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 28-TSOP I |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 865-1170 |
FUJITSU SEMICONDUCTOR
DATA SHEET
DS501-00011-1v0-E
Memory FRAM
256 K (32 K × 8) Bit
MB85R256F
■ DESCRIPTIONS
The MB85R256F is an FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip in a configuration of 32,768
words × 8 bits, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the
nonvolatile memory cells.
The MB85R256F is able to retain data without using a back-up battery, as is needed for SRAM.
The memory cells used in the MB85R256F can be used for 10 10 read/write operations, which is a significant
improvement over the number of read and write operations supported by Flash memory and E 2 PROM.
The MB85R256F uses a pseudo - SRAM interface compatible with conventional asynchronous SRAM.
■ FEATURES
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Bit configuration : 32,768 words × 8 bits
High endurance 10 Billion Read/writes
Peripheral circuit CMOS construction
Operating power supply voltage : 2.7 V to 3.6 V
Operating temperature range : ? 40 ° C to + 85 ° C
Data retention : 10 years ( + 55 ° C)
Package : 28-pin, SOP flat package
: 28-pin, TSOP(1) flat package
Copyright?2011 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED All rights reserved
2011.7
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| MB85R256FPF-G-BNDE1 | 功能描述:IC FRAM 256KBIT 150NS 28SOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP I 包装:Digi-Reel® 其它名称:557-1461-6 |
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