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参数资料
| 型号： | MB85R256FPFCN-G-BNDE1 |
| 厂商： | Fujitsu Semiconductor America Inc |
| 文件页数： | 7/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FRAM 256KBIT 150NS 28TSOP |
| 特色产品： | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | FRAM（Ferroelectric RAM） |
| 存储容量： | 256K (32K x 8) |
| 速度： | 150ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 28-TSSOP（0.465"，11.8mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 28-TSOP I |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 865-1170 |
MB85R256F
(2) Write cycle
(within recommended operating conditions)
Parameter
Write cycle time
CE active time
Write pulse width
Precharge time
Address setup time
Address hold time
Data setup time
Data hold time
Write set up time
Write hold time
Symbol
t WC
t CA
t WP
t PC
t AS
t AH
t DS
t DH
t WS
t WH
Min
150
70
70
80
0
25
50
0
0
0
Value
Max
?
500
500
?
?
?
?
?
?
?
Unit
ns
3. Pin Capacitance
Parameter
Input capacitance
Output capacitance
Symbol
C IN
C OUT
Conditions
V IN = V OUT = GND,
f = 1 MHz, T A = + 25 ° C
Min
?
?
Value
Typ
?
?
Max
10
10
Unit
pF
pF
4. AC Characteristics Test Condition
Power supply voltage: 2.7 V to 3.6 V
Input voltage amplitude: 0.3 V to 2.7 V
Input rising time: 10 ns
Input falling time: 10 ns
Input evaluation level: Vcc/2
Output evaluation level: Vcc/2
Output load: 100 pF
DS501-00011-1v0-E
7
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