参数资料
型号: MB85R256FPFCN-G-BNDE1
厂商: Fujitsu Semiconductor America Inc
文件页数: 4/16页
文件大小: 0K
描述: IC FRAM 256KBIT 150NS 28TSOP
特色产品: FRAM (Ferroelectric RAM)
标准包装: 1,000
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: FRAM(Ferroelectric RAM)
存储容量: 256K (32K x 8)
速度: 150ns
接口: 并联
电源电压: 2.7 V ~ 3.6 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 28-TSSOP(0.465",11.8mm 宽)
供应商设备封装: 28-TSOP I
包装: 托盘
其它名称: 865-1170
MB85R256F
■ BLOCK DIAGRAM
A 14 to A 10
Block decoder
A 14 to A 0
Address
latch
A 7 to A 0
Row
decoder
FRAM array:
32,768 × 8
CE
A 8 , A 9
Column decoder
WE
Control logic
OE
■ FUNCTION LIST
I/O latch bus
driver
to
I/O0-I/O7 I/O 0
Operation mode
CE
WE
OE
I/O 0 to I/O 7
Power supply current
H
×
×
Standby precharge
×
×
L
H
L
H
Hi-Z
Standby
(I SB )
L
Latch address
H
L
?
?
L
H
Write
Read
L
L
L
H
H
L
Data input
Data output
Operation (I CC )
H: High level, L: Low level, × : Irrespective of “H” or “L”
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DS501-00011-1v0-E
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