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参数资料
| 型号： | MB85R256FPFCN-G-BNDE1 |
| 厂商： | Fujitsu Semiconductor America Inc |
| 文件页数： | 6/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FRAM 256KBIT 150NS 28TSOP |
| 特色产品： | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | FRAM（Ferroelectric RAM） |
| 存储容量： | 256K (32K x 8) |
| 速度： | 150ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 28-TSSOP（0.465"，11.8mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 28-TSOP I |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 865-1170 |
MB85R256F
■ ELECTRICAL CHARACTERISTICS
1. DC Characteristics
(within recommended operating conditions)
Parameter
Input leakage current
Output leakage
current
Operating power
supply current
Standby current
High level output
voltage
Low level output
voltage
Symbol
| I LI |
| I LO |
I CC
I SB
V OH
V OL
Conditions
V IN = 0 V to V CC
V OUT = 0 V to V CC ,
CE = V IH or OE = V IH
CE = 0.2 V,
Other inputs = V CC ? 0.2 V/0.2 V,
t RC (Min), Ii/o = 0 mA
CE, WE, OE ≥ V CC
I OH = ? 2.0 mA
I OL = 2.0 mA
Min
?
?
?
?
V CC × 0.8
?
Value
Typ
?
?
5
5
?
?
Max
10
10
10
50
?
0.4
Unit
μ A
μ A
mA
μ A
V
V
2. AC Characteristics
(1) Read cycle
(within recommended operating conditions)
Parameter
Read cycle time
CE active time
Read pulse width
Precharge time
Address setup time
Address hold time
CE access time
OE access time
CE output floating time
OE output floating time
Symbol
t RC
t CA
t RP
t PC
t AS
t AH
t CE
t OE
t HZ
t OHZ
Min
150
70
70
80
0
25
?
?
?
?
Value
Max
?
500
500
?
?
?
70
70
25
25
Unit
ns
6
DS501-00011-1v0-E
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MB85R256FPF-G-BNDE1 | 功能描述:IC FRAM 256KBIT 150NS 28SOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP I 包装:Digi-Reel® 其它名称:557-1461-6 |
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| MB85R256GPF-G-BNDE1 | 制造商:FUJITSU 功能描述: |
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