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参数资料
| 型号： | MB85R256FPFCN-G-BNDE1 |
| 厂商： | Fujitsu Semiconductor America Inc |
| 文件页数： | 10/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FRAM 256KBIT 150NS 28TSOP |
| 特色产品： | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | FRAM（Ferroelectric RAM） |
| 存储容量： | 256K (32K x 8) |
| 速度： | 150ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 28-TSSOP（0.465"，11.8mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 28-TSOP I |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 865-1170 |
MB85R256F
■ POWER ON/OFF SEQUENCE
V CC
2.7 V
V IH (Min)
1.0 V
V IL (Max)
G N D
CE
tpd
CE > V CC × 0. 8 *
CE : Don ' t care
tr
tp u
CE > V CC × 0. 8 *
CE
V CC
2.7 V
V IH (Min)
1.0 V
V IL (Max)
G N D
* : CE (Max) < V CC + 0.5 V
Notes: ? Because turning the power-on from an intermediate level cause malfunction, when the power
is turned on, V CC is required to be started from 0 V.
? If the device does not operate within the specified conditions of read cycle, write cycle, power
on/off sequence, memory data can not be guaranteed.
(within recommended operating conditions)
Parameter
CE level hold time at power OFF
CE level hold time at power ON
Power supply rising time
Symbol
tpd
tpu
tr
Min
80
80
0.05
Value
Typ
?
?
?
Max
?
?
200
Unit
ns
ns
ms
■ NOTES ON USE
After the IR reflow completed, it is not guaranteed to save the data written prior to the IR reflow.
10
DS501-00011-1v0-E
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PDF描述 |
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