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参数资料
| 型号： | MB85R256FPFCN-G-BNDE1 |
| 厂商： | Fujitsu Semiconductor America Inc |
| 文件页数： | 13/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FRAM 256KBIT 150NS 28TSOP |
| 特色产品： | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | FRAM（Ferroelectric RAM） |
| 存储容量： | 256K (32K x 8) |
| 速度： | 150ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 28-TSSOP（0.465"，11.8mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 28-TSOP I |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 865-1170 |
MB85R256F
(Continued)
2 8 -pin plastic TSOP (1)
(FPT-2 8 P-M19)
2 8 -pin plastic TSOP (1)
(FPT-2 8 P-M19)
22
I N DEX
2 8
LEAD N o.
1
7
0.15 ± 0.05
(.006 ± .002)
13.40 ± 0.20
(.52 8 ± .00 8 )
11. 8 0 ± 0.20
(.465 ± .00 8 )
21
8
Lead pitch
Package w idth ×
package length
Lead shape
Sealing method
Mo u nting height
W eight
Code
(Reference)
8 .00 ± 0.20
(.315 ± .00 8 )
0.55(.0217)
0.55 mm
11. 8 0 × 8 .00 mm
G u ll w ing
Plastic mold
1.20 mm Max
Approx. 0.25 g
P-TSOP(1)2 8 -11. 8 × 8 -0.55
0.00(.000) Min
(Stand off)
+0.10 +.004
1.10 –0.05 .043 –.002
(Mo u nting height)
0.10(.004)
TYP
7.15(.2 8 1)
12.40 ± 0.20
(.4 88 ± .00 8 )
0.50 ± 0.10
(.020 ± .004)
REF
0.20 ± 0.10
(.00 8 ± .004)
0.09(.004)
M
Dimensions in mm (inches).
C
2005-2010 FUJITSU SEMICO N DUCTOR LIMITED F2 8 062S-c-3-5
N ote: The v al u es in parentheses are reference v al u es.
DS501-00011-1v0-E
13
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PDF描述 |
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参数描述 |
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