参数资料
型号: MB85R256FPFCN-G-BNDE1
厂商: Fujitsu Semiconductor America Inc
文件页数: 8/16页
文件大小: 0K
描述: IC FRAM 256KBIT 150NS 28TSOP
特色产品: FRAM (Ferroelectric RAM)
标准包装: 1,000
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: FRAM(Ferroelectric RAM)
存储容量: 256K (32K x 8)
速度: 150ns
接口: 并联
电源电压: 2.7 V ~ 3.6 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 28-TSSOP(0.465",11.8mm 宽)
供应商设备封装: 28-TSOP I
包装: 托盘
其它名称: 865-1170
MB85R256F
■ TIMING DIAGRAM
1. Read cycle (CE Control)
t RC
CE
t PC
t CA
t PC
A 14 to A 0
t AS
Valid
t AH
t AS
Valid
t AH
t RC
OE
t PC
t OE
t RP
t PC
t OHZ
I/O 7 to I/O 0
Valid
High-Z
Valid
High-Z
WE
: Don't care.
2. Read cycle (OE Control)
t PC
CE
t CE
“H” level
t RC
t CA
t HZ
t PC
A 14 to A 0
t AS
Valid
t AH
t AS
Valid
t AH
t RC
OE
t PC
t OE
t RP
t PC
t OHZ
I/O 7 to I/O 0
Valid
High-Z
Valid
High-Z
8
WE
: Don't care.
t CE
“H” level
t HZ
DS501-00011-1v0-E
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PDF描述
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