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参数资料
| 型号： | MB86R01PB-GSE1 |
| 厂商： | Fujitsu Semiconductor America Inc |
| 文件页数： | 36/89页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SOC GRAPHIC CONTRLR 484BGA |
| 特色产品： | Graphics Display Controllers (GDC) |
| 标准包装： | 40 |
| 系列： | 玉 |
| 应用： | 图形控制器 |
| 核心处理器： | ARM9 |
| 程序存储器类型： | 外部程序存储器 |
| 控制器系列： | 玉 |
| RAM 容量： | 64K x 8 |
| 接口： | ADC，ATA，CAN，EBI/EMI，I²C，I²S，媒体 LB，PWM，SD 卡，UART/USART，USB |
| 输入/输出数： | 24 |
| 电源电压： | 1.1 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 484-BGA |
| 包装： | 托盘 |
| 供应商设备封装： | 484-BGA（23x23） |
| 其它名称： | 865-1110 |
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35
FUJITSU MICROELECTRONICS
PROPRIETARY AND CONFIDENTIAL
MB86R01 DATA SHEET
8.
Electrical Characteristics
8.1.
Maximum Ratings
Table 8-1
Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Supply voltage
VDDI, PLLVDD
VDDE
DDRVDE
-0.5 to 1.8 (*1)
-0.5 to 4.0 (*2)
-0.5 to 2.5 (*3)
V
Input voltage
VI
-0.5 to VDDI + 0.5 (< 1.8V)
-0.5 to VDDE + 0.5 (< 4.0V)
-0.5 to DDRVDE + 0.5 (< 2.5V)
V
Output voltage
VO
-0.5 to VDDI + 0.5 (< 1.8V)
-0.5 to VDDE + 0.5 (< 4.0V)
-0.5 to DDRVDE + 0.5 (< 2.5V)
V
Storage temperature
TST
-55 to 125
°C
Junction temperature
TJ
-40 to 125
°C
Power consumption
PD
1.5
W
Supply current
ID
1.2V: 690.1 (*4)
1.8V: 508 (*4)
3.3V: 125.3 (*4)
mA
*1: Power supply for internal part or PLL
*2: Power supply for I/O part
*3: Power supply for SSTL_18 I/O part
*4: Current specification necessary for each voltage power supply
Note:
Applying stress exceeding the maximum ratings (voltage, current, temperature, etc.) may cause
damage to semiconductor devices. Never exceed the ratings above.
Since thermal destruction of elements might occur, do not connect IC output or I/O pin directly, or
connect them to VDD or VSS directly, except the pin designed output timing to prevent such incident.
Provide ESD protection, such as grounding when handling the product; otherwise externally-charged
electric charge flows into the IC and discharges, which may cause circuit destruction.
Applying voltage higher than VDD or lower than VSS to I/O pins of CMOS IC, or applying voltage
higher than the ratings between VDD and VSS may cause latch up. The latch up increases supply
current, resulting in thermal destruction of elements. When handling the product, never exceed the
maximum ratings.
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PDF描述 |
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参数描述 |
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