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参数资料
| 型号： | MBM29LV800BE70TN |
| 厂商： | SPANSION LLC |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 512K X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| 封装： | PLASTIC, TSOP1-48 |
| 文件页数： | 33/64页 |
| 文件大小： | 429K |
| 代理商： | MBM29LV800BE70TN |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页当前第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页
Retired Product
DS05-20888-7E_July 31, 2007
MBM29LV800TE/BE60/70/90
39
Address
Data
WE
OE
CE
3rd Bus Cycle
Data Polling
555h
PA
A0h
PD
DQ7
DOUT
PA
tWC
tAS
tAH
tWHWH1
tCPH
tCP
tGHEL
tDS
tDH
tWS
tWH
Alternate CE Controlled Program Operation Timing Diagram
Notes :
PA is the address of the memory location to be programmed.
PD is the data to be programmed at word address.
DQ7 is the output of the complement of the data written to the device.
DOUT is the output of the data written to the device.
Figure indicates the last two bus cycles out of four bus cycles sequence.
These waveforms are for the × 16 mode (the addresses differ from × 8 mode) .
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBPL1319B-1R2-KS | 1 ELEMENT, 1.2 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| MBPL1319B-R30-KS | 1 ELEMENT, 0.3 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| MBPL1319B-R90-KS | 1 ELEMENT, 0.9 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| MBR0540PBF | 0.5 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MBR10100CE | 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBM29LV800BE90PBT | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M x 8/512 K x 16) BIT |
| MBM29LV800BE90PCV | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M x 8/512 K x 16) BIT |
| MBM29LV800BE90TN | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M x 8/512 K x 16) BIT |
| MBM29LV800TA | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8/512K X 16) BIT |
| MBM29LV800TA-12 | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8/512K X 16) BIT |
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