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参数资料
| 型号： | MBM29LV800BE70TN |
| 厂商： | SPANSION LLC |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 512K X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| 封装： | PLASTIC, TSOP1-48 |
| 文件页数： | 35/64页 |
| 文件大小： | 429K |
| 代理商： | MBM29LV800BE70TN |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页当前第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页
Retired Product
DS05-20888-7E_July 31, 2007
MBM29LV800TE/BE60/70/90
40
Address
Data
VCC
CE
OE
WE
555h
2AAh
555h
2AAh
SA*
tWC
tAS
tAH
tCS
tGHWL
tCH
tWP
tDS
tVCS
tDH
tWPH
AAh
55h
80h
AAh
55h
10h/
30h
10h for Chip Erase
Chip/Sector Erase Operation Timing Diagram
* : SA is the sector address for Sector Erase. Addresses
= 555h (Word) for Chip Erase.
Note : These waveforms are for the
× 16 mode (the addresses differ from × 8 mode) .
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBPL1319B-1R2-KS | 1 ELEMENT, 1.2 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| MBPL1319B-R30-KS | 1 ELEMENT, 0.3 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| MBPL1319B-R90-KS | 1 ELEMENT, 0.9 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| MBR0540PBF | 0.5 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MBR10100CE | 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBM29LV800BE90PBT | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M x 8/512 K x 16) BIT |
| MBM29LV800BE90PCV | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M x 8/512 K x 16) BIT |
| MBM29LV800BE90TN | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M x 8/512 K x 16) BIT |
| MBM29LV800TA | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8/512K X 16) BIT |
| MBM29LV800TA-12 | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8/512K X 16) BIT |
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