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参数资料
| 型号： | MBM29PL32TM90TN-E1 |
| 厂商： | SPANSION LLC |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| 封装： | PLASTIC, TSOP1-48 |
| 文件页数： | 37/72页 |
| 文件大小： | 450K |
| 代理商： | MBM29PL32TM90TN-E1 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页当前第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页
Retired Product
DS05-20907-4E_July 31, 2007
MBM29PL32TM/BM90/10
42
2.
AC Characteristics
Read Only Operations Characteristics
* : Test Conditions :
Output Load
: 1 TTL gate and 30 pF
Input rise and fall times : 5 ns
Input pulse levels
: 0.0 V or VCC
Timing measurement reference level
Input
: VCC / 2
Output : VCC / 2
Parameter
Symbols
Condition
Value*
Unit
90
10
JEDEC
Stan-
dard
Min
Max
Min
Max
Read Cycle Time
tAVAV
tRC
—90
100
ns
Address to Output Delay
tAVQV
tACC
CE = VIL,
OE = VIL
90
100
ns
Chip Enable to Output Delay
tELQV
tCE
OE = VIL
90
100
ns
Page Read Cycle Time
—
tPRC
—25
30
ns
Page Address to Output Delay
—
tPACC
CE = VIL,
OE = VIL
25
30
ns
Output Enable to Output Delay
tGLQV
tOE
—
25
30
ns
Chip Enable to Output High-Z
tEHQZ
tDF
—
25
30
ns
Output Enable
Hold Time
Read
—tOEH
—0
0
ns
Toggle and Data Polling
—
10
10
ns
Output Enable to Output High-Z
tGHQZ
tDF
—
25
30
ns
Output Hold Time From Addresses,
CE or OE, Whichever Occurs First
tAXQX
tOH
—0
0
ns
RESET Pin Low to Read Mode
—
tREADY
—
20
20
s
Test Conditions
CL
3.3 V
Diode = 1N3064
or Equivalent
2.7 k
Ω
Device
Under
Test
Diode = 1N3064
or Equivalent
6.2 k
Ω
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