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参数资料
| 型号： | MBM29PL32TM90TN-E1 |
| 厂商： | SPANSION LLC |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| 封装： | PLASTIC, TSOP1-48 |
| 文件页数： | 40/72页 |
| 文件大小： | 450K |
| 代理商： | MBM29PL32TM90TN-E1 |
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Retired Product
DS05-20907-4E_July 31, 2007
MBM29PL32TM/BM90/10
45
■ ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE
■ TSOP (1) PIN CAPACITANCE
Notes :
Test conditions TA = +25°C, f = 1.0 MHz
DQ15/A-1 pin capacitance is stipulated by output capacitance.
■ FBGA PIN CAPACITANCE
Notes :
Test conditions TA = +25°C, f = 1.0 MHz
DQ15/A-1 pin capacitance is stipulated by output capacitance.
Parameter
Limits
Unit
Remarks
Min
Typ
Max
Sector Erase Time
—
1
15
s
Excludes programming time prior to
erasure
Programming Time
—
100
3000
s
Excludes system-level overhead
Effective Page Programming
Time
(Write Buffer Programming)
—
23.5
—
s
Chip Programming Time
—
300
s
Absolute Maximum
Programming Time (16 words)
——
6
ms
Non programming within the same
page
Erase/Program Cycle
100,000
—
cycle
—
Parameter
Symbol
Test Setup
Value
Unit
Min
Typ
Max
Input Capacitance
CIN
VIN = 0
—
8
10
pF
Output Capacitance
COUT
VOUT = 0
—
8.5
12
pF
Control Pin Capacitance
CIN2
VIN = 0
—
8
10
pF
RESET pin and WP/ACC Pin
Capacitance
CIN3
VIN = 0
—
20
25
pF
Parameter
Symbol
Test Setup
Value
Unit
Min
Typ
Max
Input Capacitance
CIN
VIN = 0
—
8
10
pF
Output Capacitance
COUT
VOUT = 0
—
8.5
12
pF
Control Pin Capacitance
CIN2
VIN = 0
—
8
10
pF
RESET pin and WP/ACC Pin
Capacitance
CIN3
VIN = 0
—
15
20
pF
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