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参数资料
型号： MBR1690CT
厂商： LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
元件分类： 整流器
英文描述： 16 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
封装： PLASTIC PACKAGE-3
文件页数： 1/3页
文件大小： 79K
代理商： MBR1690CT
NOTES : 1. 300us Pulse Width, 2% Duty Cycle.
2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
3. Thermal Resistance Junction to Case.
MBR1670CT thru 16100CT
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
℃
FEATURES
Metal of silicon rectifier,majority carrier conducton
Guard ring for transient protection
Low power loss, high efficiency
High current capability, low VF
High surge capacity
Plastic package has UL flammability classification
94V-0
For use in low voltage,high frequency inverters,free
whelling,and polarity protection applications
MECHANICAL DATA
Case : TO-220AB molded plastic
Polarity : As marked on the body
Weight : 0.08 ounces, 2.24 grams
Mounting position : Any
Max. mounting torque = 0.5 N.m (5.1 Kgf.cm)
TO-220AB
All Dimensions in millimeter
TO-220AB
DIM.
MIN.
MAX.
A
C
D
E
F
G
H
B
14.22
15.88
10.67
9.65
2.54
3.43
6.86
5.84
8.26
9.28
-
6.35
12.70
14.73
0.51
2.79
N
M
L
K
J
I
1.14
2.29
0.64
0.30
3.53
4.09
3.56
4.83
1.14
1.40
2.92
2.03
PIN 1
PIN 3
PIN 2
CASE
A
B
C
K
J
I
H
G
F
E
D
N
M
L
H
PIN
1
3
2
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
REVERSE VOLTAGE - 70 to 100 Volts
FORWARD CURRENT - 16 Amperes
16
125
10000
MBR1670CT
70
49
70
MBR16100CT
100
70
100
MBR1690CT
90
63
90
MBR1680CT
80
56
80
VRMS
VDC
VRRM
I(AV)
IFSM
Peak Forward Surge Current
8.3ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
TJ
Operating Temperature Range
C
TSTG
Storage Temperature Range
C
Typical Thermal Resistance (Note 3)
R0JC
C/W
CJ
Typical Junction Capacitance,
per element (Note 2)
pF
IR
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
@TJ =25 C
@TJ =125 C
mA
A
V
UNIT
V
CHARACTERISTICS
SYMBOL
VF
Maximum Forward
Voltage, (Note 1)
V
Voltage Rate of Change (Rated VR)
@IF=8A
@IF=16A
dv/dt
Maximum Average Forward RectifiedCurrent
at TC=100 C (See Fig.1)
TJ =25 C
TJ =125 C
TJ =25 C
TJ =125 C
-55 to +150
-55 to +175
2.0
0.1
100
0.85
0.75
0.95
0.85
275
V/us
SEMICONDUCTOR
LITE-ON
REV. 2, Oct-2010, KTHC14
相关PDF资料
PDF描述
MBR1680CT 16 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
MBR20035CT 100 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
MBR20030CT 100 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
MBR20100CTW 20 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
MBR20120CE 20 A, 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA
相关代理商/技术参数
参数描述
MBR16H45/45 功能描述:肖特基二极管与整流器 45 Volt 16A Single 150 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
MBR16H45-E3/45 功能描述:肖特基二极管与整流器 45 Volt 16A Single 150 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
MBR16H45HE3/45 功能描述:肖特基二极管与整流器 45 Volt 16A Single 150 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
MBR16H50-E3/45 功能描述:肖特基二极管与整流器 50 Volt 16A Single 150 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
MBR16H50HE3/45 功能描述:肖特基二极管与整流器 50 Volt 16A Single 150 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
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