参数资料
型号: MBT3906DW1T3
厂商: ON SEMICONDUCTOR
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: SC-88, 6 PIN
文件页数: 11/16页
文件大小: 327K
代理商: MBT3906DW1T3
MBT3904DW1T1, MBT3906DW1T1, MBT3946DW1T1
http://onsemi.com
4
MBT3904DW1T1 (NPN)
Figure 1. Delay and Rise Time
Equivalent Test Circuit
Figure 2. Storage and Fall Time
Equivalent Test Circuit
+3 V
275
10 k
1N916
Cs < 4 pF*
+3 V
275
10 k
Cs < 4 pF*
< 1 ns
– 0.5 V
+10.9 V
300 ns
DUTY CYCLE = 2%
< 1 ns
– 9.1 V
+10.9 V
DUTY CYCLE = 2%
t1
0
10 < t1 < 500 ms
* Total shunt capacitance of test jig and connectors
TYPICAL TRANSIENT CHARACTERISTICS
Figure 3. Capacitance
REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
2.0
3.0
5.0
7.0
10
1.0
0.1
Figure 4. Charge Data
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
5000
1.0
VCC = 40 V
IC/IB = 10
Q,
CHARGE
(pC)
3000
2000
1000
500
300
200
700
100
50
70
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30 40
0.2 0.3
0.5 0.7
QT
QA
Cibo
Cobo
TJ = 25°C
TJ = 125°C
MBT3904DW1T1 (NPN)
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PDF描述
MBT3946DW1T1 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MBT3906DW1T1 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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