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参数资料
| 型号： | MBT3906DW1T3 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SC-88, 6 PIN |
| 文件页数： | 15/16页 |
| 文件大小： | 327K |
| 代理商： | MBT3906DW1T3 |
MBT3904DW1T1, MBT3906DW1T1, MBT3946DW1T1
http://onsemi.com
8
MBT3906DW1T1 (PNP)
Figure 19. Delay and Rise Time
Equivalent Test Circuit
Figure 20. Storage and Fall Time
Equivalent Test Circuit
3 V
275
10 k
1N916
Cs < 4 pF*
3 V
275
10 k
Cs < 4 pF*
< 1 ns
+0.5 V
10.6 V
300 ns
DUTY CYCLE = 2%
< 1 ns
+9.1 V
10.9 V
DUTY CYCLE = 2%
t1
0
10 < t1 < 500 ms
* Total shunt capacitance of test jig and connectors
TYPICAL TRANSIENT CHARACTERISTICS
Figure 21. Capacitance
REVERSE BIAS (VOLTS)
2.0
3.0
5.0
7.0
10
1.0
0.1
Figure 22. Charge Data
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
5000
1.0
VCC = 40 V
IC/IB = 10
Q,
CHARGE
(pC)
3000
2000
1000
500
300
200
700
100
50
70
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30 40
0.2 0.3
0.5 0.7
QT
QA
Cibo
Cobo
TJ = 25°C
TJ = 125°C
MBT3906DW1T1 (PNP)
Figure 23. Turn – On Time
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
70
100
200
300
500
50
TIME
(n
s)
1.0
2.0 3.0
10
20
70
5
100
Figure 24. Fall Time
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
5.0 7.0
30
50
200
10
30
7
20
70
100
200
300
500
50
1.0
2.0 3.0
10
20
70
5
100
5.0 7.0
30
50
200
10
30
7
20
t,
F
ALL
TIME
(ns)
f
VCC = 40 V
IB1 = IB2
IC/IB = 20
IC/IB = 10
tr @ VCC = 3.0 V
td @ VOB = 0 V
40 V
15 V
2.0 V
MBT3906DW1T1 (PNP)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBT3946DW1T1 | 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MBT3906DW1T1 | 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MC-10118BF1-ENY-A | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PBGA481 |
| MC141555P1 | UNIVERSAL SERIAL BUS CONTROLLER, PDIP28 |
| MC141556P | UNIVERSAL SERIAL BUS CONTROLLER, PDIP28 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBT3946DW | 制造商:WEITRON 制造商全称:Weitron Technology 功能描述:Dual General Purpose Transistor NPN+PNP Silicon |
| MBT3946DW1T1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 40V Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MBT3946DW1T1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 40V Dual Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MBT3946DW1T1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
| MBT3946DW1T2 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 40V Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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