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参数资料
| 型号： | MC33912BAC |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 18/95页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SYSTEM BASIS CHIP 32LQFP |
| 标准包装： | 250 |
| 应用： | 系统基础芯片 |
| 电流 - 电源： | 4.5mA |
| 电源电压： | 5.5 V ~ 27 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 32-LQFP |
| 供应商设备封装： | 32-LQFP（7x7） |
| 包装： | 托盘 |
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MC33912G5AC / MC34912G5AC
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
DYNAMIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Table 5. Dynamic Electrical Characteristics (continued)
Characteristics noted under conditions 5.5 V ?? V SUP ? 18 V, -40°C ? T A ? 125°C for the 33912 and -40°C ? T A ? 85°C for the
34912, unless otherwise noted. Typical values noted reflect the approximate parameter mean at T A = 25°C under nominal
conditions, unless otherwise noted.
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
LIN PHYSICAL LAYER: DRIVER CHARACTERISTICS FOR NORMAL SLEW RATE - 20.0KBIT/SEC ACCORDING TO LIN PHYSICAL
LAYER SPECIFICATION (54) , (55)
Duty Cycle 1:
TH REC(MAX) = 0.744 * V SUP
TH DOM(MAX) = 0.581 * V SUP
D1
D1 = t BUS_REC(MIN) /(2 x t BIT ), t BIT = 50 μs, 7.0 V ?? V SUP ??? 18 V
Duty Cycle 2:
D2
0.396
—
—
TH REC(MIN) = 0.422 * V SUP
TH DOM(MIN) = 0.284 * V SUP
D2 = t BUS_REC(MAX) /(2 x t BIT ), t BIT = 50 μs, 7.6 V ?? V SUP ??? 18 V
—
—
0.581
LIN PHYSICAL LAYER: DRIVER CHARACTERISTICS FOR SLOW SLEW RATE - 10.4KBIT/SEC ACCORDING TO LIN PHYSICAL LAYER
SPECIFICATION (54) , (56)
Duty Cycle 3:
TH REC(MAX) = 0.778 * V SUP
TH DOM(MAX) = 0.616 * V SUP
D3
D3 = t BUS_REC(MIN) /(2 x t BIT ), t BIT = 96 μs, 7.0 V ?? V SUP ??? 18 V
Duty Cycle 4:
D4
0.417
—
—
TH REC(MIN) = 0.389 * V SUP
TH DOM(MIN) = 0.251 * V SUP
D4 = t BUS_REC(MAX) /(2 x t BIT ), t BIT = 96 μs, 7.6 V ?? V SUP ??? 18 V
—
—
0.590
Notes
54. Bus load R BUS and C BUS 1.0 nF / 1.0 k ? , 6.8 nF / 660 ? , 10 nF / 500 ? . Measurement thresholds: 50% of TXD signal to LIN signal
33912
Analog Integrated Circuit Device Data ?
18
Freescale Semiconductor
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