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参数资料
| 型号： | MC68HC705E6MFB |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, OTPROM, 2.1 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP44 |
| 封装： | PLASTIC, QFP-44 |
| 文件页数： | 61/140页 |
| 文件大小： | 1584K |
| 代理商： | MC68HC705E6MFB |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页当前第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页
Memory and Registers
EPROM (MC68HC705E6 only)
MC68HC05E6 — Rev. 1.0
Memory and Registers
EPROM
programming
register (PROG)
ELATCH — EPROM latch control
1 = EPROM address and data buses configured for programming.
0 = EPROM address and data buses configured for normal reads.
Causes address and data buses to be latched when a write to EPROM
is carried out. EPROM cannot be read if ELATCH = 1. This bit should not
be set when no programming voltage is applied to the VPP pin.
EPGM — EPROM program control
1 = Programming power connected to the EPROM array.
0 = Programming power disconnected from the EPROM array.
NOTE:
ELATCH and EPGM cannot be set on the same write operation. EPGM
can only be set if ELATCH is set. EPGM is automatically cleared when
ELATCH is cleared.
EPROM
programming
procedure
The following steps should be taken to program a byte of EPROM:
1. Apply the programming voltage VPP to the IRQ/VPP pin.
2. Set the ELATCH bit.
3. Write to the EPROM address.
4. Set the EPGM bit for a time tEPGM to apply the programming
voltage.
5. Clear the ELATCH bit.
If the address bytes A15–A2 do not change, i.e. all bytes are located
within the same 4 byte address block, then multibyte programming is
permitted. The multibyte programming facility allows 4 bytes of data to
be written to the desired addresses after the ELATCH bit has been set
(see Table 1 for multibyte programming entry conditions).
NOTE:
The erased state of the EPROM is $00.
Address
bit 7
bit 6
bit 5
bit 4
bit 3
bit 2
bit 1
bit 0
State
on reset
EPROM programming (PROG) $001D
00000
ELATCH
0
EPGM 0000 0000
3-mem
F
re
e
sc
a
le
S
e
m
ic
o
n
d
u
c
to
r,
I
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
c
..
.
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PDF描述 |
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