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参数资料
| 型号： | MCH6436-TL-E |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 6A MCPH6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 34 毫欧 @ 3A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 710pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 6-MCPH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MCH6436
1.5
4.0
3.5
ID -- VDS
V
7
6
VDS=10V
ID -- VGS
3.0
5
2.5
4
2.0
3
1.5
1.0
2
0.5
VGS=1.2V
1
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
120
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
IT15078
Ta=25°C
80
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
IT15063
100
ID=1.5A
70
I D=
.8V,
=1
VGS
=1.5
2.5V
VGS
=3.0
=4.5
80
60
40
1.0A
3.0A
60
50
40
30
20
=
VGS
1.0A
, ID
V, I D
A
A
20
10
0
0
2
4
6
8
10
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
2
10
| y fs | -- ID
IT15064
VDS=10V
10
7
5
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT15065
VGS=0V
7
5
3
2
5 °
° C
3
2
1.0
7
5
Ta
=
--2
25
C
75
° C
1.0
7
5
3
2
0.1
3
2
0.1
7
5
3
2
7
0.01
2
3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
2
100
7
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
td(off)
IT15066
VDD=15V
VGS=4.5V
3
2
1000
7
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
Ciss
IT15067
f=1MHz
5
3
2
tf
5
3
2
tr
100
Coss
10
7
td(on)
7
5
3
Crss
5
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
7
10
2
0
5
10
15
20
25
30
Drain Current, ID -- A
IT15068
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT15069
No. A1565-3/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| MCH6437-TL-E | 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MCH6438 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
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