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参数资料
| 型号： | MCH6604-TL-E |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 50V 250MA MCPH6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 250mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.8 欧姆 @ 50mA，4V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.57nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6.6pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD，无引线 |
| 供应商设备封装： | 6-MCPH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MCH6604
0.10
ID -- VDS
0.20
ID -- VGS
0.09
0.08
4.0V
3.5V
2.
5V
2.0
V
0.18
0.16
VDS=10V
0.07
0.06
V GS=1.5
V
0.14
0.12
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
12
11
Drain to Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
IT00054
Ta=25°C
100
7
Gate to Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- ID
IT00055
VGS=4V
5
10
3
9
2
8
7
6
ID=30mA
50mA
10
7
5
Ta=75°C
25°C
--25°C
5
3
4
2
3
2
1.0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.01
2
3
5
7
0.1
2
3
Gate to Source Voltage, VGS -- V
100
7
RDS(on) -- ID
IT00056
VGS=2.5V
100
7
Drain Current, ID -- A
RDS(on) -- ID
IT00057
VGS=1.5V
5
3
2
5
3
2
Ta=75°C
10
7
5
3
2
1.0
Ta=75°C
25°C
--25°C
10
7
5
3
2
1.0
25 ° C
--25°C
0.01
2
3
5
7
0.1
2
3
0.001
2
3
5
7
0.01
2
3
14
Drain Current, ID -- A
RDS(on) -- Ta
IT00058
1.0
7
Drain Current, ID -- A
| y fs | -- ID
IT00059
VDS=10V
12
5
.5V
0m V GS
=3 A,
ID 0m
I D=
Ta= --2
10
8
6
5
=2
A, V GS =4.0V
3
2
0.1
7
5 ° C
75 ° C
25 ° C
5
4
3
2
0
2
0.01
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0.01
2
3
5
7
0.1
2
3
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT00060
Drain Current, ID -- A
IT00061
No.6459-3/6
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PDF描述 |
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