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参数资料
| 型号： | MCH6604-TL-E |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 50V 250MA MCPH6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 250mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.8 欧姆 @ 50mA，4V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.57nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6.6pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD，无引线 |
| 供应商设备封装： | 6-MCPH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MCH6604
5
3
IS -- VSD
V GS=0V
1000
7
5
SW Time -- ID
VDD=25V
VGS=4V
2
3
2
td(off)
0.1
7
5
100
7
tf
3
5
3
tr
2
0.01
2
10
td(on)
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
0.01
2
3
5
7
0.1
100
7
5
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT00062
f=1MHz
10
9
VDS=10V
ID=100mA
Drain Current, ID -- A
VGS -- Qg
IT00063
8
3
7
2
6
10
5
7
5
3
2
1.0
Ciss
Coss
Crss
4
3
2
1
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2
Drain to Source Voltage, VDS -- V
ASO
IT00064
1.0
Total Gate Charge, Qg -- nC
PD -- Ta
IT00065
1m
10
0m
era
Operation in this t i o
nc
0m
? 0
. m
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
0.01
IDP=1A(PW≤10μs)
s
ID=0.25A
ms
10
DC s
op
n
area is limited by RDS(on).
Ta=25 ° C
Single pulse
When mounted on ceramic substrate (900mm 2 ? 0.8mm) 1unit
100 μ s
0.8
0.6
0.4
0.2
0
W
he
nm
ou
nte
do
era
mi
cs
ub
str
a e t
(90
m 2
8
m)
1u
n t i
1.0
2
3
5
7
10
2
3
5
7
100
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Drain to Source Voltage, VDS -- V
IT01739
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT01740
No.6459-4/6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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