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参数资料
| 型号： | MCH6662-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 2A DUAL MCPH6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 160 毫欧 @ 1A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 128pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | * |
| 封装/外壳： | * |
| 供应商设备封装： | * |
| 包装： | * |
MCH6662
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
min
Ratings
typ
max
Unit
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
ID=1mA, VGS=0V
VDS=20V, VGS=0V
VGS=±8V, VDS=0V
20
1
±10
V
μ A
μ A
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
VGS(off)
| yfs |
RDS(on)1
VDS=10V, ID=1mA
VDS=10V, ID=1A
ID=1.0A, VGS=4.5V
0.4
1.9
120
1.3
160
V
S
m Ω
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
RDS(on)2
RDS(on)3
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
ID=0.5A, VGS=2.5V
ID=0.1A, VGS=1.8V
VDS=10V, f=1MHz
See speci ? ed Test Circuit.
VDS=10V, VGS=4.5V, ID=2A
IS=2A, VGS=0V
170
255
128
28
21
5.1
11
14.5
12
1.8
0.3
0.55
0.85
240
380
1.2
m Ω
m Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
Switching Time Test Circuit
4.5V
0V
VIN
VIN
VDD=10V
ID=1.0A
RL=10 Ω
PW=10 μ s
D.C. ≤ 1%
G
D
VOUT
P.G
50 Ω
S
MCH6662
Ordering Information
Device
MCH6662-TL-H
Package
MCPH6
Shipping
3,000pcs./reel
memo
Pb Free and Halogen Free
No.8999-2/7
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PDF描述 |
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