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参数资料
| 型号： | MCH6662-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 2A DUAL MCPH6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 160 毫欧 @ 1A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 128pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | * |
| 封装/外壳： | * |
| 供应商设备封装： | * |
| 包装： | * |
MCH6662
2.0
ID -- VDS
Ta=25°C
2.5
VDS=10V
ID -- VGS
2.0
1.5
1.5V
1.5
1.0
1.0
0.5
VGS=1.2V
0.5
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
600
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
ID=0.1A
IT16372
Ta=25°C
600
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
IT16373
500
400
0.5A
1A
500
400
, I D=
=1.8V
I =0.5
V GS=
.5V, I D=
300
200
100
300
200
100
0.1A
V GS
A
2.5V, D
1.0A
V GS=4
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
10
7
| y fs | -- ID
IT16712
VDS=10V
10
7
5
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT16713
VGS=0V
5
3
2
-25
75 °
=-
3
2
1.0
7
Ta
° C
C
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
° C
5
3
2
25
3
2
0.01
7
5
3
2
0.1
0.01
2
3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1000
7
5
3
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT16643
VDD=10V
VGS=4.5V
1000
7
5
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT16377
f=1MHz
2
3
100
7
5
2
Ciss
3
2
10
tf
td(off)
100
7
5
7
5
3
td(on)
tr
3
2
Coss
Crss
2
1.0
0.01
2
3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Drain Current, ID -- A
IT16644
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT16379
No.8999-3/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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