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参数资料
型号： MCHC11F1CFNE2R
厂商： Freescale Semiconductor
文件页数： 109/158页
文件大小： 0K
描述： MCU 8BIT 1KRAM 512EE 68-PLCC
标准包装： 250
系列： HC11
核心处理器： HC11
芯体尺寸： 8-位
速度： 2MHz
连通性： SCI，SPI
外围设备： POR，WDT
输入/输出数： 30
程序存储器类型： ROMless
EEPROM 大小： 512 x 8
RAM 容量： 1K x 8
电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： 4.75 V ~ 5.25 V
数据转换器： A/D 8x8b
振荡器型： 内部
工作温度： -40°C ~ 85°C
封装/外壳： 68-LCC（J 形引线）
包装： 带卷 (TR)
OPERATING MODES AND ON-CHIP MEMORY
MC68HC11F1
4-16
TECHNICAL DATA
4.4.1.4 EEPROM Byte Erase
The following is an example of how to erase a single byte of EEPROM and assumes
that index register X contains the address of the byte to be erased.
4.4.2 PPROG EEPROM Programming Control Register
Bits in PPROG register control parameters associated with EEPROM programming.
ODD — Program Odd Rows in Half of EEPROM (TEST)
EVEN — Program Even Rows in Half of EEPROM (TEST)
Bit 5 — Not implemented
Always reads zero
BYTE — Byte/Other EEPROM Erase Mode
0 = Row or bulk erase mode used
1 = Erase only one byte of EEPROM
ROW — Row/All EEPROM Erase Mode (only valid when BYTE = 0)
0 = All 512 bytes of EEPROM erased
1 = Erase only one 16-byte row of EEPROM
ROWE
LDAB
#$0E
ROW=1, ERASE=1, EELAT=1, EEPGM=0
STAB
$103B
Set to ROW erase mode
STAB
0,X
Store any data to any address in ROW
LDAB
#$0F
ROW=1, ERASE=1, EELAT=1, EEPGM=1
STAB
$103B
Turn on high voltage
JSR
DLY10
Delay 10 ms
CLR
$103B
Turn off high voltage and set to READ mode
BYTEE
LDAB
#$16
BYTE=1, ROW=0, ERASE=1, EELAT=1, EEPGM=0
STAB
$103B
Set to BYTE erase mode
STAB
0,X
Store any data to address to be erased
LDAB
#$17
BYTE=1, ROW=0, ERASE=1, EELAT=1, EEPGM=1
STAB
$103B
Turn on high voltage
JSR
DLY10
Delay 10 ms
CLR
$103B
Turn off high voltage and set to READ mode
PPROG — EEPROM Programming Control
$103B
Bit 7
654321
Bit 0
ODD
EVEN
—
BYTE
ROW
ERASE
EELAT
EEPGM
RESET:
0000000
0
F
re
e
sc
a
le
S
e
m
ic
o
n
d
u
c
to
r,
I
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
c
..
.
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PDF描述
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参数描述
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