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参数资料
| 型号： | MCIMX357CVM5BR2 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 98/147页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MPU I.MX35 400MAPBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | i.MX35 |
| 核心处理器： | ARM11 |
| 芯体尺寸： | 32-位 |
| 速度： | 532MHz |
| 连通性： | 1 线，CAN，EBI/EMI，以太网，I²C，MMC，SPI，SSI，UART/USART，USB OTG |
| 外围设备： | DMA，I²S，LCD，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 96 |
| 程序存储器类型： | ROMless |
| RAM 容量： | 128K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 1.33 V ~ 1.47 V |
| 振荡器型： | 外部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 400-LFBGA |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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i.MX35 Applications Processors for Industrial and Consumer Products, Rev. 10
Freescale Semiconductor
54
NOTE
SDRAM CLK and DQS-related parameters are measured from the 50%
point—that is, “high” is defined as 50% of signal value and “low” is defined
as 50% of signal value. DDR SDRAM CLK parameters are measured at the
crossing point of SDCLK and SDCLK (inverted clock).
Test conditions are: Capacitance 15 pF for DDR PADS. Recommended
drive strength is Medium for SDCLK and High for Address and controls.
Figure 34. Mobile DDR SDRAM Write Cycle Timing Diagram
Table 43. DDR2 SDRAM Read Cycle Parameter Table
ID
PARAMETER
Symbol
DDR2-400
Unit
Min
Max
DDR24
DQS – DQ Skew (defines the Data valid window in
read cycles related to DQS).
tDQSQ
—0.35
ns
DDR25
DQS DQ in HOLD time from DQS1
1The value was calculated for an SDCLK frequency of 133 MHz by the formula tQH = tHP – tQHS = min (tCL,tCH) – tQHS =
0.45
× tCK – tQHS = 0.45 × 7.5 – 0.45 = 2.925 ns.
tQH
2.925
—
ns
DDR26
DQS output access time from SDCLK posedge
tDQSCK
–0.5
0.5
ns
Table 44. Mobile DDR SDRAM Write Cycle Timing Parameters1
1 Test condition: Measured using delay line 5 programmed as follows: ESDCDLY5[15:0] = 0x0703.
ID
Parameter
Symbol
Min.
Max.
Unit
SD17
DQ and DQM setup time to DQS
tDS
0.95
—
ns
SD18
DQ and DQM hold time to DQS
tDH
0.95
—
ns
SD19
Write cycle DQS falling edge to SDCLK output delay time.
tDSS
1.8
—
ns
SD20
Write cycle DQS falling edge to SDCLK output hold time.
tDSH
1.8
—
ns
SDCLK
DQS (output)
DQ (output)
DQM (output)
Data
DM
SD17
SD18
SD19
SD20
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| MCIMX357DJQ5C | 功能描述:处理器 - 专门应用 RINGO MX35 TO2.1 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 类型:Multimedia Applications 核心:ARM Cortex A9 处理器系列:i.MX6 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:1 GHz 指令/数据缓存: 数据 RAM 大小:128 KB 数据 ROM 大小: 工作电源电压: 最大工作温度:+ 95 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:MAPBGA-432 |
| MCIMX357DJQ5CR2 | 功能描述:处理器 - 专门应用 RINGO MX35 TO2.1 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 类型:Multimedia Applications 核心:ARM Cortex A9 处理器系列:i.MX6 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:1 GHz 指令/数据缓存: 数据 RAM 大小:128 KB 数据 ROM 大小: 工作电源电压: 最大工作温度:+ 95 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:MAPBGA-432 |
| MCIMX357DVM5B | 功能描述:处理器 - 专门应用 i.MX35 Auto Apps Processor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 类型:Multimedia Applications 核心:ARM Cortex A9 处理器系列:i.MX6 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:1 GHz 指令/数据缓存: 数据 RAM 大小:128 KB 数据 ROM 大小: 工作电源电压: 最大工作温度:+ 95 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:MAPBGA-432 |
| MCIMX357DVM5BR2 | 功能描述:处理器 - 专门应用 i.MX35 Auto Apps Processor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 类型:Multimedia Applications 核心:ARM Cortex A9 处理器系列:i.MX6 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:1 GHz 指令/数据缓存: 数据 RAM 大小:128 KB 数据 ROM 大小: 工作电源电压: 最大工作温度:+ 95 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:MAPBGA-432 |
| MCIMX35GVMN4A | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:RINGO MX35 CONSUMER - Trays |
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