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参数资料
型号： MCIMX513DJM8C
厂商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分类： 微控制器/微处理器
英文描述： SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PBGA529
封装： 19 X 19 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MAPBGA-529
文件页数： 134/198页
文件大小： 3041K
代理商： MCIMX513DJM8C
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i.MX51 Applications Processors for Consumer and Industrial Products, Rev. 4
40
Freescale Semiconductor
Electrical Characteristics
AC electrical characteristics in DDR2 mode for Slow mode and for ovdd=1.65 – 1.95 V, ipp_hve = 0 are
placed in Table 38:
Output Pad di/dt1
di/dt
—
390
201
99
mA/ns
Input Pad Transition Times2
trfi
1.2 pF
0.09/0.09
0.132/0.128
0.212/0.213
ns
Input Pad Propagation Delay without Hysteresis
(CMOS input), 50%-50%2
tpi
1.2 pF
0.45/0.93
0.6/0.58
0.9/0.88
ns
Input Pad Propagation Delay with Hysteresis
(CMOS input), 50%-50%2
tpi
1.2 pF
0.55/0.55
0.71/0.7
1.03/0.98
ns
Input Pad Propagation Delay (DDR input),
50%-50%2
tpi
1.2 pF
0.38/0.38
0.58/0.61
1.014/1.07
ns
Maximum Input Transition Times3
trm
—
5
ns
1 Max condition for tpr, tpo, tps and didt: wcs model, 1.1 V, IO 1.65 V, 105 °C and s0-s5=111111. Typ condition for tpr, tpo,
tps and didt: typ model, 1.2 V, IO 1.8 V, 25 °C and s0-s5 = 101010. Min condition for tpr, tpo, tps and didt: bcs model, 1.3 V,
IO 1.95 V, –40 °C and s0-s5=000000.
2 Max condition for trfi and tpi: wcs model, 1.1 V, IO 1.65 V and 105 °C. Typ condition for trfi and tpi: typ model, 1.2 V, IO
1.8 V and 25 °C. Min condition for trfi and tpi: bcs model, 1.3 V, IO 1.95 V and –40 °C.
3 Hysteresis mode is recommended for input with transition time greater than 25 ns.
Table 38. AC Electrical Characteristics of DDR2 IO Pads for Slow Mode and
for ovdd=1.65–1.95V (ipp_hve=0)
Parameter
Symbol
Test
Condition
Min
rise/fall
Typ
Max
rise/fall
Units
Output Pad Transition Times1
tpr
15pF
35pF
0.75/0.76
1.39/1.40
0.70/0.74
1.18/1.21
1.06/1.00
1.49/1.47
ns
Output Pad Propagation Delay, 50%-50%1
tpo
15pF
35pF
1.50/1.55
2.05/2.16
1.90/1.95
2.36/2.48
3.23/3.10
3.82/3.75
ns
Output Pad Slew Rate1
tps
15pF
35pF
1.56/1.54
0.84/0.84
1.54/1.46
0.92/0.89
0.93/0.99
0.66/0.67
V/ns
Output Pad di/dt1
di/dt
—
82
40
19
mA/ns
Input Pad Transition Times2
trfi
1.2 pF
0.09/0.09
0.132/0.128
0.212/0.213
ns
Input Pad Propagation Delay without Hysteresis
(CMOS input), 50%-50%2
tpi
1.2 pF
0.45/0.93
0.6/0.58
0.9/0.88
ns
Input Pad Propagation Delay with Hysteresis
(CMOS input), 50%-50%2
tpi
1.2 pF
0.55/0.55
0.71/0.7
1.03/0.98
ns
Input Pad Propagation Delay (DDR input),
50%-50%2
tpi
1.2 pF
0.38/0.38
0.58/0.61
1.014/1.07
ns
Maximum Input Transition Times3
trm
—
5
ns
Table 37. AC Electrical Characteristics of DDR2 IO Pads for Fast mode and
for ovdd=1.65 – 1.95 V (ipp_hve=0) (continued)
Parameter
Symbol
Test
Condition
Min
rise/fall
Typ
Max
rise/fall
Units
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PDF描述
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MCIMX514AJM6C 功能描述:处理器 - 专门应用 ELVIS 3.0 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 类型:Multimedia Applications 核心:ARM Cortex A9 处理器系列:i.MX6 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:1 GHz 指令/数据缓存: 数据 RAM 大小:128 KB 数据 ROM 大小: 工作电源电压: 最大工作温度:+ 95 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:MAPBGA-432
MCIMX514AJM6CR2 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:ELVIS 3.0 AUTO - Tape and Reel
MCIMX515CJM6C 功能描述:处理器 - 专门应用 iMX515 App Processor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 类型:Multimedia Applications 核心:ARM Cortex A9 处理器系列:i.MX6 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:1 GHz 指令/数据缓存: 数据 RAM 大小:128 KB 数据 ROM 大小: 工作电源电压: 最大工作温度:+ 95 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:MAPBGA-432
MCIMX515CJM6CR2 功能描述:处理器 - 专门应用 i.MX51 32bit 800 MHz RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 类型:Multimedia Applications 核心:ARM Cortex A9 处理器系列:i.MX6 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:1 GHz 指令/数据缓存: 数据 RAM 大小:128 KB 数据 ROM 大小: 工作电源电压: 最大工作温度:+ 95 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:MAPBGA-432
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