- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录17177 > MCP14E3T-E/SN (Microchip Technology)IC MOSFET DVR 4.0A DUAL 8SOIC PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MCP14E3T-E/SN |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 4/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DVR 4.0A DUAL 8SOIC |
| 标准包装： | 3,300 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 46ns |
| 电流 - 峰： | 4A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | MCP14E3T-E/SNTR |
MCP14E3/MCP14E4/MCP14E5
DC CHARACTERISTICS (NOTE 2) (CONTINUED)
Electrical Specifications: Unless otherwise indicated, T A = +25°C, with 4.5V ≤ V DD ≤ 18V.
Parameters
Sym
Min
Typ
Max
Units
Conditions
Power Supply
Supply Voltage
V DD
4.5
—
18.0
V
Supply Current
I DD
—
1.60
2.00
mA
V IN_A = 3V, V IN_B = 3V,
ENB_A = ENB_B = High
I DD
—
0.60
0.90
mA
V IN_A = 0V, V IN_B = 0V,
ENB_A = ENB_B = High
I DD
—
1.20
1.40
mA
V IN_A = 3V, V IN_B = 0V,
ENB_A = ENB_B = High
I DD
—
1.20
1.40
mA
V IN_A = 0V, V IN_B = 3V,
ENB_A = ENB_B = High
I DD
—
1.40
1.80
mA
V IN_A = 3V, V IN_B = 3V,
ENB_A = ENB_B = Low
I DD
—
0.55
0.75
mA
V IN_A = 0V, V IN_B = 0V,
ENB_A = ENB_B = Low
I DD
—
1.00
1.20
mA
V IN_A = 3V, V IN_B = 0V,
ENB_A = ENB_B = Low
I DD
—
1.00
1.20
mA
V IN_A = 0V, V IN_B = 3V,
ENB_A = ENB_B = Low
Note 1:
2:
3:
Switching times ensured by design.
Tested during characterization, not production tested.
Package power dissipation is dependent on the copper pad area on the PCB.
DS22062B-page 4
? 2008 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T95S684M025HZSL | CAP TANT 0.68UF 25V 20% 1507 |
| MCP1403T-E/SN | IC MOSFET DRIVER 4.5A DUAL 8SOIC |
| VB30120S-E3/8W | DIODE 30A 120V SIGNLE SCHOTTKY |
| MCP14E6T-E/SN | IC MOSFET DRIVER 2A 8SOIC |
| TC4425AVPA | IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 8DIP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCP14E4-E/MF | 功能描述:功率驱动器IC 45A Dual MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MCP14E4-E/P | 功能描述:功率驱动器IC 4.5A Dual MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MCP14E4-E/SL | 功能描述:功率驱动器IC 4.5A Dual MOSFET Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MCP14E4-E/SN | 功能描述:功率驱动器IC 4.5A Dual MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MCP14E4EMF | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:4.0A Dual High-Speed Power MOSFET Drivers With Enable |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。