参数资料
型号: MCP14E3T-E/SN
厂商: Microchip Technology
文件页数: 9/26页
文件大小: 0K
描述: IC MOSFET DVR 4.0A DUAL 8SOIC
标准包装: 3,300
配置: 低端
输入类型: 反相
延迟时间: 46ns
电流 - 峰: 4A
配置数: 2
输出数: 2
电源电压: 4.5 V ~ 18 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 带卷 (TR)
其它名称: MCP14E3T-E/SNTR
MCP14E3/MCP14E4/MCP14E5
Typical Performance Curves (Continued)
Note: Unless otherwise indicated, T A = +25°C with 4.5V ≤ V DD ≤ 18V.
120
100
V DD = 18V
50 kHz
100 kHz
120
100
V DD = 18V
6,800 pF
10,000 pF
80
80
60
400 kHz
200 kHz
60
2,200 pF
4,700 pF
40
20
650 kHz
40
20
0
0
100 pF
100
1000
10000
10
100
1000
Capacitive Load (pF)
Frequency (kHz)
FIGURE 2-13:
Capacitive Load.
Supply Current vs.
FIGURE 2-16:
Frequency.
Supply Current vs.
70
60
50
40
V DD = 12V
400 kHz
200 kHz
50 kHz
100 kHz
70
60
50
40
V DD = 12V
4,700 pF
6,800 pF
10,000 pF
30
20
10
0
650 kHz
30
20
10
0
2,200 pF
100 pF
100
1000
10000
10
100
1000
Capacitive Load (pF)
Frequency (kHz)
FIGURE 2-14:
Capacitive Load.
Supply Current vs.
FIGURE 2-17:
Frequency.
Supply Current vs.
35
30
25
20
V DD = 6V
400 kHz
200 kHz
50 kHz
100 kHz
35
30
25
20
V DD = 6V
6,800 pF
4,700 pF
10,000 pF
15
10
5
0
650 kHz
15
10
5
0
2,200 pF
100 pF
100
1000
10000
10
100
1000
Capacitive Load (pF)
Frequency (kHz)
FIGURE 2-15:
Supply Current vs.
FIGURE 2-18:
Supply Current vs.
Capacitive Load.
? 2008 Microchip Technology Inc.
Frequency.
DS22062B-page 9
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PDF描述
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