参数资料
型号: MCP1727T-1802E/SN
厂商: Microchip Technology
文件页数: 12/32页
文件大小: 0K
描述: IC REG LDO 1.8V 1.5A 8SOIC
产品培训模块: High Current LDOs
标准包装: 3,300
稳压器拓扑结构: 正,固定式
输出电压: 1.8V
输入电压: 2.3 V ~ 6 V
电压 - 压降(标准): 0.33V @ 1.5A
稳压器数量: 1
电流 - 输出: 1.5A(最小)
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 带卷 (TR)
MCP1727
NOTE: Unless otherwise indicated V OUT = 1.8V (Adjustable), V IN = 2.8V, C OUT = 4.7 μF Ceramic (X7R), C IN = 4.7 μF
Ceramic (X7R), I OUT = 1 mA, Temperature = +25°C, V IN = V OUT + 0.6V, RPWRGD = 10 k Ω To V IN .
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
V R =2.5V Fixed
C OUT =10 μ F ceramic X7R
V IN =3.3V
C IN =0 μ F
I OUT =10 mA
0.01
0.1
1 10
100
1000
Frequency (kHz)
FIGURE 2-25:
Power Supply Ripple
FIGURE 2-28:
2.5V (Fixed) Startup from
Rejection (PSRR) vs. Frequency (V OUT = 2.5V
Fixed).
0
-10
-20
-30
-40
Shutdown.
-50
-60
-70
-80
-90
V R =2.5V Fixed
C OUT =22 μ F ceramic X7R
V IN =3.3V
C IN =0 μ F
I OUT =10 mA
0.01
0.1
1 10
100
1000
Frequency (kHz)
FIGURE 2-26: Power Supply Ripple
Rejection (PSRR) vs. Frequency (V OUT = 2.5V
Fixed).
FIGURE 2-29: Power Good (PWRGD)
Timing with C BYPASS of 1000 pF.
FIGURE 2-27:
V IN .
DS21999B-page 12
2.5V (Fixed) Startup from
FIGURE 2-30: Power Good (PWRGD)
Timing with C BYPASS of 0.1 μF.
? 2007 Microchip Technology Inc.
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PDF描述
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MCP1727T-2502E/SN 功能描述:低压差稳压器 - LDO 1.5A CMOS LDO 2.5V SOIC8 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压(最大值):307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20
MCP1727T-3002E/MF 功能描述:低压差稳压器 - LDO 1.5A CMOS LDO 3.0V DFN8 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压(最大值):307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20
MCP1727T-3002E/SN 功能描述:低压差稳压器 - LDO 1.5A CMOS LDO 3.0V SOIC8 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压(最大值):307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20
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