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参数资料
| 型号： | MCP1727T-1802E/SN |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 22/32页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG LDO 1.8V 1.5A 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Current LDOs |
| 标准包装： | 3,300 |
| 稳压器拓扑结构： | 正，固定式 |
| 输出电压： | 1.8V |
| 输入电压： | 2.3 V ~ 6 V |
| 电压 - 压降（标准）： | 0.33V @ 1.5A |
| 稳压器数量： | 1 |
| 电流 - 输出： | 1.5A（最小） |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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MCP1727
5.3.1.2
Junction Temperature Estimate
5.4
C DELAY Calculations (typical)
C = I ? -------
To estimate the internal junction temperature, the
calculated temperature rise is added to the ambient or
offset temperature. For this example, the worst-case
junction temperature is estimated below:
Where:
Δ T
Δ V
T J = T JRISE + T A(MAX)
T J = 63.14°C + 60.0°C
T J = 123.14°C
As you can see from the result, this application will be
operating very near the maximum operating junction
C
I
Δ T
Δ V
=
=
=
=
C DELAY Capacitor
C DELAY charging current,
140 nA typical.
time delay
C DELAY threshold voltage,
0.42V typical
C = I ? ------- = ---------------------------------- = 333.3 × 10
temperature of 125°C. The PCB layout for this
application is very important as it has a significant
impact on the junction-to-ambient thermal resistance
(R θ JA ) of the 3x3 DFN package, which is very important
in this application.
Δ T ( 140 nA ? Δ T ) – 09
Δ V 0.42 V
For a delay of 300 ms:
C = 333.3E-09 * .300
? Δ T
5.3.1.3
Maximum Package Power
Dissipation at 60°C Ambient
C = 100E-09uF (0.1 μ F)
Temperature
3x3DFN (41° C/W R θ JA ):
P D(MAX) = (125°C – 60°C) / 41° C/W
P D(MAX) = 1.585W
SOIC8 (150°C/Watt R θ JA ):
P D(MAX) = (125°C – 60°C)/ 150° C/W
P D(MAX) = 0.433W
From this table, you can see the difference in maximum
allowable power dissipation between the 3x3 DFN
package and the 8-pin SOIC package. This difference
is due to the exposed metal tab on the bottom of the
DFN package. The exposed tab of the DFN package
provides a very good thermal path from the die of the
LDO to the PCB. The PCB then acts like a heatsink,
providing more area to distribute the heat generated by
the LDO.
DS21999B-page 22
? 2007 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TC1262-2.5VEBTR | IC REG LDO 2.5V .5A DDPAK-3 |
| TC1262-5.0VAB | IC REG LDO 5V .5A TO220-3 |
| RCC60DREH-S734 | CONN EDGECARD 120PS .100 EYELET |
| RSM15DSAH | CONN EDGECARD 30POS R/A .156 SLD |
| ECC65DREF-S734 | CONN EDGECARD 130POS .100 EYELET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCP1727T-2502E/MF | 功能描述:低压差稳压器 - LDO 1.5A CMOS LDO 2.5V DFN8 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压（最大值）:307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20 |
| MCP1727T-2502E/SN | 功能描述:低压差稳压器 - LDO 1.5A CMOS LDO 2.5V SOIC8 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压（最大值）:307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20 |
| MCP1727T-3002E/MF | 功能描述:低压差稳压器 - LDO 1.5A CMOS LDO 3.0V DFN8 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压（最大值）:307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20 |
| MCP1727T-3002E/SN | 功能描述:低压差稳压器 - LDO 1.5A CMOS LDO 3.0V SOIC8 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压（最大值）:307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20 |
| MCP1727T-3302E/MF | 功能描述:低压差稳压器 - LDO 1.5A CMOS LDO 3.3V DFN8 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压（最大值）:307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20 |
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