参数资料
| 型号： | MCP660T-E/ML |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 23/68页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP TRIPLE 60MHZ 16QFN |
| 标准包装： | 3,300 |
| 放大器类型： | 通用 |
| 电路数： | 3 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 32 V/µs |
| 增益带宽积： | 60MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 6pA |
| 电压 - 输入偏移： | 1800µV |
| 电流 - 电源： | 6mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 80mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 2.5 V ~ 5.5 V，±1.25 V ~ 2.75 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-VQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 16-QFN（4x4） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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2009-2012 Microchip Technology Inc.
DS22194D-page 3
MCP660/1/2/3/4/5/9
1.0
ELECTRICAL
CHARACTERISTICS
1.1
Absolute Maximum Ratings
VDD – VSS .......................................................................6.5V
Current at Input Pins ....................................................±2 mA
Analog Inputs (VIN+ and VIN–) . VSS – 1.0V to VDD + 1.0V
All other Inputs and Outputs .......... VSS – 0.3V to VDD + 0.3V
Output Short Circuit Current ................................ Continuous
Current at Output and Supply Pins ..........................±150 mA
Storage Temperature ...................................-65°C to +150°C
Max. Junction Temperature ........................................ +150°C
ESD protection on all pins (HBM, MM)
1 kV, 200V
Notice: Stresses above those listed under “Absolute
Maximum Ratings” may cause permanent damage to
the device. This is a stress rating only and functional
operation of the device at those or any other conditions
above those indicated in the operational listings of this
specification is not implied. Exposure to maximum rat-
ing conditions for extended periods may affect device
reliability.
1.2
Specifications
TABLE 1-1:
DC ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Electrical Characteristics: Unless otherwise indicated, TA = +25°C, VDD = +2.5V to +5.5V, VSS = GND,
Parameters
Sym
Min
Typ
Max
Units
Conditions
Input Offset
Input Offset Voltage
VOS
-8
±1.8
+8
mV
Input Offset Voltage Drift
VOS/TA
—±2.0
—
V/°C TA= -40°C to +125°C
Power Supply Rejection Ratio
PSRR
61
76
—
dB
Input Current and Impedance
Input Bias Current
IB
—6
—
pA
Across Temperature
IB
—130
—
pA
TA = +85°C
Across Temperature
IB
—
1700
5,000
pA
TA = +125°C
Input Offset Current
IOS
—±10
—
pA
Common Mode Input
Impedance
ZCM
—1013||9
—
||pF
Differential Input Impedance
ZDIFF
—1013||2
—
||pF
Common Mode
Common-Mode Input Voltage
Range
VCMR
VSS0.3
—
VDD 1.3
V
Common-Mode Rejection Ratio
CMRR
64
79
—
dB
VDD = 2.5V, VCM = -0.3 to 1.2V
CMRR
66
81
—
dB
VDD = 5.5V, VCM = -0.3 to 4.2V
Open Loop Gain
DC Open Loop Gain
(large signal)
AOL
88
117
—
dB
VDD = 2.5V, VOUT = 0.3V to
2.2V
AOL
94
126
—
dB
VDD = 5.5V, VOUT = 0.3V to
5.2V
Note 1:
See Figure 2-5 for temperature effects.
2:
The ISC specifications are for design guidance only; they are not tested.
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MCP661DM-LD | 功能描述:放大器 IC 开发工具 Demo Board MCP661 Line Driver RoHS:否 制造商:International Rectifier 产品:Demonstration Boards 类型:Power Amplifiers 工具用于评估:IR4302 工作电源电压:13 V to 23 V |
| MCP661-E/SN | 功能描述:运算放大器 - 运放 Single 60MHz OP E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| MCP661T-E/MNY | 功能描述:运算放大器 - 运放 Single 60MHz OP E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| MCP661T-E/OT | 功能描述:运算放大器 - 运放 Single 60MHz OP E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| MCP661T-E/SN | 功能描述:运算放大器 - 运放 Single 60MHz OP E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
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