参数资料
型号: MCP660T-E/ML
厂商: Microchip Technology
文件页数: 9/68页
文件大小: 0K
描述: IC OPAMP TRIPLE 60MHZ 16QFN
标准包装: 3,300
放大器类型: 通用
电路数: 3
输出类型: 满摆幅
转换速率: 32 V/µs
增益带宽积: 60MHz
电流 - 输入偏压: 6pA
电压 - 输入偏移: 1800µV
电流 - 电源: 6mA
电流 - 输出 / 通道: 80mA
电压 - 电源,单路/双路(±): 2.5 V ~ 5.5 V,±1.25 V ~ 2.75 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 16-VQFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 16-QFN(4x4)
包装: 带卷 (TR)
2009-2012 Microchip Technology Inc.
DS22194D-page 17
MCP660/1/2/3/4/5/9
Note: Unless indicated, TA = +25°C, VDD = +2.5V to 5.5V, VSS = GND, VCM = VDD/3, VOUT = VDD/2, VL = VDD/2,
RL = 1 kto VL, CL = 20 pF and CS = VSS.
FIGURE 2-48:
Quiescent Current in
Shutdown vs. Power Supply Voltage.
FIGURE 2-49:
Output Leakage Current vs.
Output Voltage.
-2.0
-1.8
-1.6
-1.4
-1.2
-1.0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
Power Supply Voltage (V)
N
eg
at
ive
Po
wer
Su
p
ly
C
u
rre
nt
;I
SS
(A
)
CS = VDD
+125°C
+85°C
+25°C
-40°C
1.E-11
1.E-10
1.E-09
1.E-08
1.E-07
1.E-06
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0
Output Voltage (V)
Ou
tp
u
tL
ea
kag
e
Cu
rr
e
n
t(
A
)
+25°C
+125°C
+85°C
CS = VDD = 5.5V
1
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MCP661T-E/MNY 功能描述:运算放大器 - 运放 Single 60MHz OP E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比(最小值):63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流(最大值):10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel
MCP661T-E/OT 功能描述:运算放大器 - 运放 Single 60MHz OP E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比(最小值):63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流(最大值):10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel
MCP661T-E/SN 功能描述:运算放大器 - 运放 Single 60MHz OP E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比(最小值):63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流(最大值):10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel