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参数资料
型号： MCP660T-E/ML
厂商： Microchip Technology
文件页数： 66/68页
文件大小： 0K
描述： IC OPAMP TRIPLE 60MHZ 16QFN
标准包装： 3,300
放大器类型： 通用
电路数： 3
输出类型： 满摆幅
转换速率： 32 V/µs
增益带宽积： 60MHz
电流 - 输入偏压： 6pA
电压 - 输入偏移： 1800µV
电流 - 电源： 6mA
电流 - 输出 / 通道： 80mA
电压 - 电源，单路/双路(±)： 2.5 V ~ 5.5 V，±1.25 V ~ 2.75 V
工作温度： -40°C ~ 125°C
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 16-VQFN 裸露焊盘
供应商设备封装： 16-QFN（4x4）
包装： 带卷 (TR)
2009-2012 Microchip Technology Inc.
DS22194D-page 7
MCP660/1/2/3/4/5/9
2.0
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
Note: Unless indicated, TA = +25°C, VDD = +2.5V to 5.5V, VSS = GND, VCM = VDD/3, VOUT = VDD/2, VL = VDD/2,
RL = 1 kto VL, CL = 20 pF and CS = VSS.
2.1
DC Signal Inputs
FIGURE 2-1:
Input Offset Voltage.
FIGURE 2-2:
Input Offset Voltage Drift.
FIGURE 2-3:
Input Offset Voltage vs.
Power Supply Voltage with VCM = 0V.
FIGURE 2-4:
Input Offset Voltage vs.
Output Voltage.
FIGURE 2-5:
Low Input Common Mode
Voltage Headroom vs. Ambient Temperature.
FIGURE 2-6:
High Input Common Mode
Voltage Headroom vs. Ambient Temperature.
Note:
The graphs and tables provided following this note are a statistical summary based on a limited number of
samples and are provided for informational purposes only. The performance characteristics listed herein
are not tested or guaranteed. In some graphs or tables, the data presented may be outside the specified
operating range (e.g., outside specified power supply range) and therefore outside the warranted range.
0%
2%
4%
6%
8%
10%
12%
14%
16%
18%
20%
22%
-6 -5 -4 -3 -2 -1
0
1
2
3
4
5
6
Input Offset Voltage (mV)
P
e
rcen
ta
g
e
o
f
O
cc
u
rr
en
ce
s
100 Samples
TA = +25°C
VDD = 2.5V and 5.5V
0%
2%
4%
6%
8%
10%
12%
14%
16%
18%
20%
22%
24%
-12 -10 -8 -6 -4 -2
0
2
4
6
8 10 12
Input Offset Voltage Drift (V/°C)
P
e
rc
e
n
ta
g
e
o
f
Oc
cu
rr
e
n
ce
s
100 Samples
VDD = 2.5V and 5.5V
TA = -40°C to +125°C
-2.0
-1.8
-1.6
-1.4
-1.2
-1.0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0.0
1.52.0 2.53.0 3.54.0 4.55.0 5.56.0 6.5
Power Supply Voltage (V)
In
pu
tO
ff
set
V
o
lt
ag
e
(m
V
)
+125°C
+85°C
+25°C
-40°C
Representative Part
VCM = VSS
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5
Output Voltage (V)
In
p
u
tO
ff
se
tVo
lt
ag
e
(m
V
)
VDD = 2.5V
VDD = 5.5V
Representative Part
-0.5
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Ambient Temperature (°C)
L
o
w
Input
C
o
mmon
M
ode
H
e
ad
room
(V
)
VDD = 2.5V
1 Lot
Low (VCMR_L – VSS)
VDD = 5.5V
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Ambient Temperature (°C)
H
ig
h
In
p
u
tC
o
mmo
n
Mode
H
ea
d
ro
om
(V
)
VDD = 2.5V
VDD = 5.5V
1 Lot
High (VDD – VCMR_H)
相关PDF资料
PDF描述
LMH6642MAX/NOPB IC OP AMP R-R LP 3V 75MA 8-SOIC
3429-6503 CONN HEADER 26PS STR SHORT LATCH
69924-005 R/A GUIDE PIN HDR ASSY.
NCV5230DR2G IC OPAMP LOW VOLT 8SOIC
68664-002 68664-2-SHIELDED HEADER
相关代理商/技术参数
参数描述
MCP661DM-LD 功能描述:放大器 IC 开发工具 Demo Board MCP661 Line Driver RoHS:否 制造商:International Rectifier 产品:Demonstration Boards 类型:Power Amplifiers 工具用于评估:IR4302 工作电源电压:13 V to 23 V
MCP661-E/SN 功能描述:运算放大器 - 运放 Single 60MHz OP E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel
MCP661T-E/MNY 功能描述:运算放大器 - 运放 Single 60MHz OP E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel
MCP661T-E/OT 功能描述:运算放大器 - 运放 Single 60MHz OP E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel
MCP661T-E/SN 功能描述:运算放大器 - 运放 Single 60MHz OP E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel
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