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参数资料
型号： MCP6V11T-E/OT
厂商： Microchip Technology
文件页数： 36/40页
文件大小： 0K
描述： IC OPAMP SGL ZERO DRIFT SOT23-5
标准包装： 1
放大器类型： 零漂移
电路数： 1
输出类型： 满摆幅
转换速率： 0.03 V/µs
增益带宽积： 80kHz
电流 - 输入偏压： 5pA
电压 - 输入偏移： 8µV
电流 - 电源： 7.5µA
电流 - 输出 / 通道： 17mA
电压 - 电源，单路/双路(±)： 1.6 V ~ 5.5 V
工作温度： -40°C ~ 125°C
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SC-74A，SOT-753
供应商设备封装： SOT-23-5
包装： 标准包装
其它名称： MCP6V11T-E/OTDKR
2012 Microchip Technology Inc.
DS25124A-page 5
MCP6V11/1U
TABLE 1-2:
AC ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Electrical Characteristics:
Unless otherwise indicated, TA = +25°C, VDD = +1.6V to +5.5V, VSS = GND,
VCM = VDD/3, VOUT =VDD/2, VL =VDD/2, RL =100 k to VL and CL = 20 pF (refer to Figure 1-4 and Figure 1-5).
Parameters
Sym.
Min.
Typ.
Max.
Units
Conditions
Amplifier AC Response
Gain Bandwidth Product
GBWP
—
80
—
kHz
Slew Rate
SR
—
0.03
—
V/s
Phase Margin
PM
—
70
—
°
G = +1
Amplifier Noise Response
Input Noise Voltage
Eni
—0.67
—
VP-P f = 0.01 Hz to 1 Hz
Eni
—2.1
—
VP-P f = 0.1 Hz to 10 Hz
Input Noise Voltage Density
eni
—102
—
nV/√Hz f < 500 Hz
Input Noise Current Density
ini
—4
—
fA/√Hz
Amplifier Distortion (Note 1)
Intermodulation Distortion (AC)
IMD
—
50
—
VPK VCM tone = 50 mVPK at 100 Hz, GN = 1
Amplifier Step Response
Start Up Time
tSTR
—
2
—
ms
G = +1, 0.1% VOUT settling (Note 2)
Offset Correction Settling Time
tSTL
—
300
—
s
G = +1, VIN step of 2V,
VOS within 100 V of its final value
Output Overdrive Recovery Time
tODR
—
450
—
s
G = -10, ±0.5V input overdrive to VDD/2,
VIN 50% point to VOUT 90% point (Note 3)
Note 1:
These parameters were characterized using the circuit in Figure 1-6. In Figure 2-36 and Figure 2-37,
there is an IMD tone at DC, a residual tone at1 kHz and other IMD tones and clock tones.
2:
High gains behave differently; see Section 4.3.3, Offset at Power Up.
3:
tODR includes some uncertainty due to clock edge timing.
TABLE 1-3:
TEMPERATURE SPECIFICATIONS
Electrical Characteristics:
Unless otherwise indicated, all limits are specified for: VDD = +1.6V to +5.5V,
VSS = GND.
Parameters
Sym.
Min.
Typ.
Max.
Units
Conditions
Temperature Ranges
Specified Temperature Range
TA
-40
—
+125
°C
Operating Temperature Range
TA
-40
—
+125
°C
(Note 1)
Storage Temperature Range
TA
-65
—
+150
°C
Thermal Package Resistances
Thermal Resistance, 5L-SC-70
θJA
—331
—
°C/W
Thermal Resistance, 5L-SOT-23
θJA
—256
—
°C/W
Note 1:
Operation must not cause TJ to exceed Maximum Junction Temperature specification (+150°C).
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PDF描述
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参数描述
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