参数资料
型号: MCR12D
厂商: ON SEMICONDUCTOR
元件分类: 晶闸管
英文描述: GT 10C 10#16 SKT RECP
中文描述: 12 A, 400 V, SCR, TO-220AB
封装: CASE 221A-09, 3 PIN
文件页数: 7/8页
文件大小: 92K
代理商: MCR12D
MCR12D, MCR12M, MCR12N
http://onsemi.com
7
Notes
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PDF描述
MCR12M Silicon Controlled Rectifiers
MCR12N Silicon Controlled Rectifiers
MCR225-10FP ISOLATED SCRs 25 AMPERES RMS 600 thru 800 VOLTS
MCR225-8FP ISOLATED SCRs 25 AMPERES RMS 600 thru 800 VOLTS
MCR649AP1 SILICON CONTROLLED RECTIFIERS
相关代理商/技术参数
参数描述
MCR12DCM 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors
MCR12DCMT4 功能描述:SCR 600V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube
MCR12DCMT4G 功能描述:SCR 600V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube
MCR12DCMT4G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:SCR Thyristor
MCR12DCN 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:Silicon Controlled Rectifiers