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参数资料
| 型号： | MEK75-12DA |
| 厂商： | IXYS CORP |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) Module |
| 中文描述： | 75 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-240AA |
| 封装： | MODULE-3 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 91K |
| 代理商： | MEK75-12DA |
2000 IXYS All rights reserved
D6 - 5
150
600
200
250
300
22
33
90
-40...+150
-40...+125
110
280
3000
3600
12.7
9.6
50
0.550
0.450
Data according to IEC 60747
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")
Features
G
International standard package
with DCB ceramic base plate
G
Planar passivated chips
G
Short recovery time
G
Low switching losses
G
Soft recovery behaviour
G
Isolation voltage 3600 V~
G
UL registered E 72873
Applications
G
Antiparallel diode for high frequency
switching devices
G
Free wheeling diode in converters
and motor control circuits
G
Inductive heating and melting
G
Uninterruptible power supplies (UPS)
G
Ultrasonic cleaners and welders
Advantages
G
High reliability circuit operation
G
Low voltage peaks for reduced
protection circuits
G
Low noise switching
G
Low losses
Preliminary data
75
75
107
75
TBD
1200
1300
1080
1170
7200
7100
5800
5700
2.50-4/22-35
2.50-4/22-35
100
1.85
2.17
2.58
2.64
300
2
0.5
34
1.48
3.65
1
2
3
1
2
3
1
2
3
V
RSM
V
V
RRM
V
Type
MEA75-12 DA
MEK 75-12 DA
MEE 75-12 DA
1200
1200
Symbol
Test Conditions
°
C
T
case
=
°
C; rectangular, d = 0.5
t
P
< 10
μ
s; rep. rating, pulse width limited by T
VJM
T
VJ
= 45
°
C;
t = 10 ms (50 Hz), sine
t = 8.3 ms (60 Hz), sine
T
VJ
= 150
°
C; t = 10 ms (50 Hz), sine
t = 8.3 ms (60 Hz), sine
T
VJ
= 45
°
C;
t = 10 ms (50 Hz), sine
t = 8.3 ms (60 Hz), sine
T
VJ
= 150
°
C; t = 10 ms (50 Hz), sine
t = 8.3 ms (60 Hz), sine
Maximum Ratings
I
FRMS
I
FAV
I
FRM
I
FSM
T
case
=
A
A
A
A
A
A
A
I
2
t
A
2
s
A
2
s
A
2
s
A
2
s
°
C
°
C
°
C
T
VJ
T
stg
T
Hmax
P
tot
V
ISOL
T
case
= 25
°
C
50/60 Hz, RMS t = 1 min
I
ISOL
≤
1 mA
Mounting torque (M5)
Terminal connection torque (M5)
W
V~
V~
t = 1 s
M
d
Nm/lb.in.
Nm/lb.in.
d
S
d
A
a
Creep distance on surface
Strike distance through air
Maximum allowable acceleration
mm
mm
m/s
2
Weight
g
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values (per diode)
typ.
max.
I
R
T
VJ
= 25
°
C
T
VJ
= 25
°
C
T
VJ
= 125
°
C
I
F
= A;
V
R
= V
V
R
= 0.8 V
RRM
V
R
= 0.8 V
RRM
T
VJ
=125
°
C
T
VJ
= 25
°
C
T
VJ
=125
°
C
T
VJ
= 25
°
C
mA
mA
mA
V
F
V
V
V
V
I
F
= A;
V
T0
r
T
R
thJH
R
thJC
t
rr
I
RM
For power-loss calculations only
V
m
K/W
K/W
DC current
DC current
I
F
= A
V
R
= V
-di/dt = A/
μ
s
T
VJ
= 100
°
C
T
VJ
= 25
°
C
T
VJ
= 100
°
C
ns
A
A
Fast Recovery
Epitaxial Diode
(FRED) Module
MEA 75-12 DA
MEK 75-12 DA
MEE 75-12 DA
V
RRM
= 1200 V
I
FAV
= 75 A
t
rr
= 250 ns
TO-240 AA
1
2
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MEKK2016T1R0M | 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 3.1A 60 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:MCOIL?，ME 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 类型:绕线 材料 - 磁芯:金属 电感:1μH 容差:±20% 额定电流:3.1A 电流 - 饱和值:3.6A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:60 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.063" 宽（2.00mm x 1.60mm） 高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm） 标准包装:1 |
| MEKK2016T2R2M | 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 1.9A 150 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:MCOIL?，ME 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 类型:绕线 材料 - 磁芯:金属 电感:2.2μH 容差:±20% 额定电流:1.9A 电流 - 饱和值:2.4A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:150 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.063" 宽（2.00mm x 1.60mm） 高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm） 标准包装:1 |
| MEKK2016TR47M | 功能描述:470nH Shielded Wirewound Inductor 4.3A 30 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:MCOIL?，ME 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 类型:绕线 材料 - 磁芯:金属 电感:470nH 容差:±20% 额定电流:4.3A 电流 - 饱和值:4.5A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:30 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.063" 宽（2.00mm x 1.60mm） 高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm） 标准包装:1 |
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